检测项目
电气特性检测：
- 栅极泄漏电流（Igss）：最大允许值≤10nA（参照JEDECJESD22-AJianCe）
- 阈值电压（Vth）：标准范围0.7V±0.1V（如：Vth≥0.6V）
- 栅源击穿电压（JianCegss）：最小保证值≥20V
- 开关时间：上升时间（tr）≤10ns，下降时间（tf）≤8ns
- 栅电荷量（Qg）：总电荷≤30nC
- 导通电阻（Rds(on)）：典型值≤5mΩ
- 热阻（Rth）：结到环境热阻≤50°C/W
- 最高工作结温（Tjmax）：保证值≥150°C
- 高温栅偏测试（HTGB）：寿命测试1000小时（参照JEDECJESD22-A108）
- 温度循环测试（TCT）：-55°C至150°C，1000次循环
- 引线拉力测试：最小拉力≥5N
- 剪切强度：最小保证值≥50MPa
- 气密性测试：氦气泄漏率≤1×10^{-8}atm·cc/s
- 塑封体强度：无裂纹（参照MIL-STD-883）
- 输入电容（Ciss）：典型值≤1000pF
- 输出电容（Coss）：≤500pF
- 反向传输电容（Crss）：≤100pF
- 导通损耗（Pcond）：最大允许≤1W
- 开关损耗（Psw）：≤0.5mJ/cycle
- 栅极噪声电流：峰峰值≤5nA
- 开关噪声：EMI辐射限值（参照CISPR32）
- 加速寿命试验（ALT）：激活能0.7eV，预测MTTF≥10^6小时
- 失效分析：故障模式识别（如：栅氧化层击穿）
检测范围
1.分立MOSFET器件：涵盖N沟道和P沟道类型，检测重点在栅极氧化层质量和泄漏电流控制。
2.IGBT功率模块：高压应用如变频器，侧重栅极驱动特性和热稳定性检测。
3.CMOS集成电路：微处理器和逻辑芯片，关注栅极延迟和功耗效率。
4.功率MOSFET阵列：用于电源管理，检测同步整流性能。
5.GaNHEMT器件：氮化镓高电子迁移率晶体管，重点检测高频栅流响应。
6.SiCMOSFET器件：碳化硅材料，检测高温下的栅极可靠性。
7.射频功率晶体管：LDMOS等，检测输入阻抗和栅极匹配。
8.光耦隔离栅驱动器：安全隔离器件，检测绝缘强度和栅控精度。
9.存储器单元晶体管：DRAM和Flash，检测栅极电荷保持能力。
10.传感器接口电路：低功耗应用，检测微电流栅流稳定性。
检测方法
国际标准：
- IEC60747-8:2010分立半导体器件和集成电路-第8部分:场效应晶体管
- JEDECJESD22-AJianCe-B静电放电灵敏度测试
- ISO16750-2:2012道路车辆电气和电子设备的环境条件和试验
- GB/T4937.1-2018半导体器件机械和气候试验方法
- GB/T17626.2-2018电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验
检测设备
1.参数分析仪：KeysightB1500A（电流分辨率0.1fA，电压范围±100V）
2.数字示波器：TektronixDPO73304DX（带宽33GHz，采样率100GS/s）
3.半导体测试系统：TeradyneJ750（支持多引脚并行测试）
4.热阻测试仪：T3Ster（热瞬态响应测量精度±1°C）
5.环境试验箱：ESPECSH-661（温度范围-70°C至180°C）
6.静电放电模拟器：EMTESTESD30（放电电压范围0.2kV至30kV）
7.频谱分析仪：Rohde&SchwarzFSW67（频率范围2Hz至67GHz）
8.LCR测试仪：KeysightE4980A（电容测量精度0.05%）
9.功率分析仪：YokogawaWT5000（功率精度±0.01%）
10.显微成像系统：OlympusBX53（放大倍数1000X）
11.拉力测试机：Instron5969（载荷范围0.5N至50kN）
12.气密性测试仪：Varian938-40（泄漏检测限1×10^{-9}mbar·l/s）
13.噪声分析仪：StanfordResearchSR785（动态范围120dB）
14.加速寿命试验系统：QualmarkTyphoon（温度循环速率10°C/min）
15.射频信号发生器：AnritsuMG3690C（输出频率范围100kHz至
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
