检测项目
1.元素成分分析：测定硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等基材纯度（99.9999%以上）2.表面污染物检测：金属离子（Na⁺、K⁺）浓度≤110⁰atoms/cm3.有机残留物分析：光刻胶残留C/O比≤0.054.电镀层厚度测量：铜互连层厚度误差3nm5.气体杂质分析：氩气(Ar)中氧含量≤5ppb
检测范围
1.硅晶圆（单晶/多晶）2.III-V族化合物半导体3.光刻胶及显影液4.封装用环氧树脂5.高纯工艺气体（N₂、H₂）
检测方法
1.电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）：ASTME3061-172.气相色谱-质谱联用（GC-MS）：ISO17076:20193.X射线荧光光谱法（XRF）：GB/T33352-20164.二次离子质谱法（SIMS）：ASTME1504-11(2020)5.傅里叶红外光谱法（FTIR）：GB/T6040-2019
检测设备
1.ThermoFisheriCAPRQICP-MS：痕量元素分析（检出限0.1ppt）2.Agilent7890BGC-MS：挥发性有机物定量（分辨率0.25amu）3.BrukerS8TIGERXRF：镀层厚度测量（精度0.5nm）4.CAMECAIMS7fSIMS：表面污染物三维成像（空间分辨率50nm）5.PerkinElmerSpectrumTwoFTIR：有机官能团鉴定（波数范围7800-350cm⁻）6.HitachiSU9000SEM-EDS：微观形貌与元素分布分析（放大倍数1,000,000）7.Metrohm930CompactICFlex：阴/阳离子色谱分析（检出限0.1ppb）8.HoribaLabRAMHREvolution：拉曼光谱材料相态识别（光谱分辨率0.35cm⁻）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
