检测项目
发射电流稳定性：测量±1%偏差范围内持续30分钟波动值
离子束能量分散度：检测0.5-5 eV能量半高宽（FWHM）
束流密度均匀性：扫描分析5 cm²区域密度差异≤3%
工作寿命测试：累计运行500小时效率衰减阈值监测
表面污染度：采用TOF-SIMS检测杂质元素含量＜0.1 at%
检测范围
半导体掺杂离子源（硅基/砷化镓基）
纳米薄膜沉积用金属离子源（Ti,Al,Cu等）
航天材料表面改性离子束装置
医用植入体羟基磷灰石涂层离子源
高纯无机材料刻蚀系统离子发生器
检测方法
ASTM E1127-22：表面分析用离子枪性能评估标准
ISO 21347:2018：离子束源能量分布测定方法
GB/T 30205-2021：离子注入设备通用技术条件
ISO 14237:2010：静态二次离子质谱表面分析规范
GB/T 35033-2018：离子镀膜设备性能检测方法
检测设备
PHI 710 NanoTOF II：飞行时间二次离子质谱仪，深度分辨率0.3 nm
KEITHLEY 2636B：双通道源表，支持10 fA-10 A宽程电流测试
Agilent 720ES：全谱直读离子色谱仪，检测限0.1 ppb
Thermo Scientific iCAP RQ：四级杆ICP-MS，质量范围2-290 amu
ULVAC PHI Quantera II：XPS/ISS联用系统，空间分辨率3 μm
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
