检测项目
次级电子产额（SEY）测量：能量范围0.1-5 keV，产额误差±0.05
电子能量分布谱（EED）分析：分辨率≤0.3 eV@1 keV
表面形貌三维重构：横向分辨率1 nm，纵向分辨率0.1 nm
电子束诱导电流（EBIC）检测：束流密度0.1-100 nA/cm²
表面电荷衰减测试：时间分辨率10 ns，温度范围-50℃~300℃
检测范围
半导体材料：硅晶圆、GaN衬底、碳化硅功率器件
光学镀膜：抗反射膜、高反射金属膜、ITO透明导电膜
纳米粉体：金属纳米颗粒、量子点材料、石墨烯分散液
电子元件：MLCC电容器、磁存储介质、PCB表面处理层
特种合金：形状记忆合金、超导材料、航天器热防护涂层
检测方法
ASTM E1587：扫描电镜定量分析标准
ISO 21224：表面电子发射特性测试规范
GB/T 30115：电子能谱分析方法通则
ISO 16700：微束分析-扫描电镜校准
GB/T 17359：电子探针定量分析方法
检测设备
场发射扫描电镜：Thermo Fisher Apreo 2，分辨率0.6 nm@15 kV
电子能量分析仪：Staib Instruments DESA100，能量分辨率0.1%
X射线光电子能谱仪：Kratos AXIS Supra，检测限0.1 at%
原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，扫描范围90×90 μm
能谱仪：Bruker XFlash 6|30，元素范围B-U，分辨率123 eV
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
