检测项目
1.界面态密度（Dit）：测量范围为110⁹-110cm⁻eV⁻
2.能级分布特性：能量范围覆盖0.1-1.5eV
3.捕获截面分析：精度达110⁻⁶-110⁻cm
4.时间常数测试：响应时间分辨率0.1μs-10s
5.温度依赖性研究：温控范围77-500K
检测范围
1.硅基半导体材料（单晶硅/多晶硅）
2.III-V族化合物半导体（GaN/AlGaN异质结）
3.有机光电材料（OLED/OPV活性层）
4.金属氧化物薄膜（HfO₂/Al₂O₃栅介质）
5.光伏电池组件（PERC/TOPCon结构界面）
检测方法
1.深能级瞬态谱法（DLTS）：依据ASTMF1248-20
2.电容-电压特性法（C-V）：符合GB/T18910.21-2022
3.光致发光谱分析（PL）：参照ISO14707:2020
4.交流阻抗谱技术（EIS）：执行GB/T39143-2020
5.热激电流法（TSC）：采用IEC62805-2:2017标准
检测设备
1.KeysightB1500A半导体分析仪：支持高频C-V与脉冲I-V测试
2.LakeShoreCRX-4KProbeStation：77-500K变温测试平台
3.Agilent4156C精密参数分析仪：分辨率达0.1fA/1μV
4.Bio-RadDL8000深能级瞬态谱系统：时间常数测量精度3%
5.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪：空间分辨率0.5μm
6.Keithley4200A-SCS参数分析仪：支持多通道并行测试
7.JanisST-500超低温恒温器：最低温度10K
8.ThermoScientificESCALABXi+XPS：表面态化学分析精度0.1at%
9.OxfordInstrumentsOptistatDN2闭循环制冷系统：控温稳定性0.1K
10.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：表面形貌与电势同步表征
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
