检测项目
1. 空位浓度测定：采用正电子湮没谱技术（PAT），灵敏度达10-6原子比
2. 间隙原子迁移率分析：通过高温退火实验结合TEM观测，温度范围300-1200℃
3. 缺陷形成能计算：基于密度泛函理论（DFT）模拟软件VASP，精度±0.05eV
4. 晶格畸变量化：X射线衍射（XRD）半峰宽测量，角度分辨率0.001°
5. 热膨胀系数异常监测：热机械分析仪（TMA）测试，温度梯度±0.1℃/min
检测范围
1. 半导体材料：硅(Si)、锗(Ge)单晶片
2. 金属氧化物：氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)
3. 陶瓷材料：氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)
4. 离子晶体：氯化钠(NaCl)、氟化钙(CaF2)
5. 合金材料：镍基高温合金(Inconel系列)
检测方法
1. ASTM E112-13：晶粒度测定中的缺陷统计方法
2. ISO 2625:2020：非金属夹杂物对点缺陷的影响评估
3. GB/T 13301-2019：金属材料晶体缺陷X射线测定方法
4. GB/T 10561-2005：钢中非金属夹杂物显微评定法
5. ISO 14577-4:2016：仪器化压痕法测定局部力学性能
检测设备
1. 场发射扫描电镜：JEOL JSM-7900F（分辨率0.8nm）
2. X射线衍射仪：Bruker D8 ADVANCE（Cu靶Kα辐射）
3. 正电子湮没谱仪：EG&G ORTEC系统（时间分辨率230ps）
4. 透射电子显微镜：JEOL JEM-2100F（点分辨率0.19nm）
5. 热重-差热联用仪：NETZSCH STA 449 F3（最高温度1600℃）
6. 拉曼光谱仪：HORIBA LabRAM HR Evolution（532nm激光源）
7. 原子探针断层扫描仪：CAMECA LEAP 5000 XS（质量分辨率m/Δm≥1500）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
