检测项目
1.费密能级位置测定：通过紫外光电子能谱（UPS）测量价带顶与真空能级差值，精度0.02eV2.载流子浓度分析：采用霍尔效应测试系统获取载流子密度（10^14~10^20cm^-3）3.功函数测量：利用开尔文探针力显微镜（KPFM）实现表面功函数扫描（分辨率5meV）4.温度依赖性研究：变温测试系统（-196C~300C）下费密能级偏移量监测5.界面势垒高度计算：结合X射线光电子能谱（XPS）与电学特性拟合界面能带结构
检测范围
1.半导体材料：硅（Si）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等单晶/薄膜样品2.金属材料：铝（Al）、铜（Cu）、金（Au）及其合金表面态分析3.绝缘体材料：二氧化硅（SiO₂）、氧化铝（Al₂O₃）等介电层能带表征4.光伏材料：钙钛矿薄膜、硅基太阳能电池异质结界面5.二维材料：石墨烯、二硫化钼（MoS₂）等层状材料的电子结构解析
检测方法
1.ASTME1127-20：紫外光电子能谱法测定功函数标准流程2.ISO15916:2014：半导体材料霍尔效应测试规范3.GB/T31985-2015：光电子能谱法测定表面电子态技术规程4.ASTMF76-08(2020)：半导体晶圆非接触式电阻率测试标准5.GB/T38945-2020：纳米薄膜材料界面势垒测量方法
检测设备
1.ThermoScientificK-Alpha+XPS系统：配备单色化AlKα光源（1486.6eV），能量分辨率≤0.5eV2.KeysightHCS-1霍尔效应测试系统：支持0.01T~1.5T磁场强度及10^-6~10^3A电流量程3.BrukerDimensionIconKPFM：空间分辨率10nm，功函数测量重复性10meV4.PHI5000VersaProbeIIIUPS/XPS联用仪：HeI光源（21.22eV），半球能量分析器角度分辨率15.Agilent4155C半导体参数分析仪：支持10fA~100mA电流测量及四探针电阻率测试6.LakeShoreCRX-VF变温探针台：温控范围4K~675K，集成真空环境模块7.OmicronEA125能量分析器：五通道电子倍增器设计，能量分辨率优于25meV8.Keithley4200A-SCS参数分析系统：集成C-V/L-V特性测试模块及高频阻抗分析功能
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
