检测项目
1.纯度测定：采用质量差减法计算主成分含量（Cu≥99.99%），涵盖Ag、Bi、Sb等20种痕量杂质元素
2.氧硫含量：氧含量≤5ppm（惰性气体熔融法），硫含量≤3ppm（红外吸收法）
3.电导率测试：室温（201℃）条件下≥100%IACS（ASTMB193标准）
4.维氏硬度：载荷1kgf条件下HV10值范围40-100（GB/T4340.1）
5.晶粒度分析：平均晶粒尺寸≤0.050mm（E112截距法），孪晶界比例≥30%
检测范围
1.电子级无氧铜（C10100/C10200）：用于高频电路基板、真空电子器件
2.溅射靶材（纯度99.999%）：半导体薄膜沉积工艺核心材料
3.超导磁体用铜基材：低温环境（4K）下电阻率≤110⁻⁰Ωm
4.核工业屏蔽材料：硼含量≤0.1ppm（中子吸收控制）
5.高精密模具铜合金：铍含量0.5-2.0%（时效硬化处理材料）
检测方法
1.GD-MS辉光放电质谱法（ASTME1479）：检出限达0.01ppm级杂质分析
2.ICP-OES电感耦合等离子体发射光谱（GB/T5121.27）：多元素同步定量检测
3.XRF荧光光谱法（ISO3497）：非破坏性表面成分快速筛查
4.四探针电阻率测试（GB/T3048.2）：薄片样品导电性能测定
5.EBSD电子背散射衍射（ISO24173）：晶体取向与织构分析
检测设备
1.ThermoFisheriCAPRQICP-MS：质量分辨率0.3amu，检出限0.1ppt级
2.BrukerS8TIGERXRF光谱仪：4kW功率Rh靶管，可测Be-U元素
3.LECOONH836氧氮氢分析仪：脉冲炉温2300℃，氧检测精度0.1ppm
4.Keysight34461A数字万用表：6位分辨率电阻测量精度0.0035%
5.ZEISSSigma500场发射电镜：分辨率0.8nm@15kV，配备EBSD探测器
6.ShimadzuHMV-G21显微硬度计：最大载荷2kgf，自动压痕测量系统
7.Agilent7900ICP-MS：质量范围2-260amu，MS/MS碰撞反应池技术
8.MTSCriterion万能试验机：载荷范围50N-100kN，应变速率0.0001-1000mm/min
9.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD：Cu靶Kα辐射（λ=1.5406），2θ范围0-168
10.PerkinElmerSTA8000同步热分析仪：温度范围25-1600℃，TG灵敏度0.1μg
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
