检测项目
1.反向击穿电压（VBR）：测试范围20-200V@25C2C环境2.正向导通压降（VF）：测量条件IF=1A-10A@Tj=125C3.反向漏电流（IR）：精度要求≤1nA@VR=80%VBR4.结电容（Cj）：频率1MHz下测量值≤50pF@VR=0V5.热阻（RθJA）：功率循环测试ΔT≤40C/W@Pdiss=5W
检测范围
1.硅基肖特基二极管（SBD）：涵盖1N58/1N60系列等常规器件2.碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）：适用于1200V/1700V高压规格3.表面贴装型（SMD）：SMA/SMB/SMC封装尺寸验证4.插件式封装（THD）：TO-220/TO-247机械应力测试5.快恢复型肖特基管：验证trr≤50ns@IF=1A特性
检测方法
1.ASTMF3601-22：半导体器件电性能测试规范2.IEC60747-5：分立器件热特性测量标准3.GB/T6571-2018：半导体器件机械环境试验方法4.JESD22-A108F：温度循环加速寿命试验规程5.GB/T17573-2021：半导体器件稳态湿热试验要求
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000V/1000A参数测试2.TektronixDPO7054示波器：4GHz带宽验证开关特性3.FlukeTi400红外热像仪：空间分辨率≤1.1mrad的热分布分析4.ESPECPL-3KPH气候箱：温控范围-70C~+180C0.5C5.Chroma19032耐压测试仪：AC5kV/DC6kV绝缘强度验证6.Agilent4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz精密电容测量7.ThermoScientificCL24盐雾箱：符合NSS/AASS腐蚀试验要求8.Instron5967万能试验机：500N封装强度测试9.HiokiRM2610毫欧表：四线法接触电阻测量0.05%精度10.OMRONZFX-C10自动光学检测仪：封装尺寸公差10μm验证
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
