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字组单元损耗检测检测

检测项目

1.电阻变化率(ΔR/R₀):初始阻值偏差0.5%,老化后阻值波动≤3%2.电容衰减率(C/C₀):额定电压下容量损失≤5%/1000h3.介电损耗角(tanδ):1MHz频率下允许值≤0.024.热膨胀系数(CTE):Z轴方向≤15ppm/℃(-55~125℃)5.抗弯强度衰减:三点弯曲试验强度保留率≥85%

检测范围

1.PCB基材:FR-4、聚酰亚胺高频板材2.半导体封装材料:环氧模塑料、硅凝胶3.连接器镀层:金镀层(0.05-0.2μm)、锡镀层(3-8μm)4.功率器件散热基板:AlN陶瓷、铜钼合金5.柔性电路材料:聚酯薄膜(25-125μm)、导电银浆

检测方法

1.ASTMD150-11介电常数与损耗因子测试2.IPC-TM-6502.4.24热应力分层试验3.GB/T2423.22-2012温度循环试验4.ISO6721-2动态力学分析(DMA)5.SJ/T11482-2014微电阻四探针测试法

检测设备

1.KeysightE4980A精密LCR表:10Hz-2MHz阻抗测量2.NetzschDMA242E动态热机械分析仪:-150~600℃模量测试3.ESPECTAS-112ESL温循箱:-70~180℃快速温变4.MitutoyoLSM-902S激光轮廓仪:0.1μm形变监测5.Agilent4156C半导体参数分析仪:pA级漏电流检测6.Instron5967万能材料试验机:50kN载荷精度0.5%7.HitachiSU5000场发射电镜:1nm分辨率断面分析8.ThermoFisherNicoletiS50FTIR:4cm⁻红外光谱解析9.XenonXLS-1000氙灯老化箱:0.55W/m@340nm辐照度10.FourDimensionsRS-35四探针台:0.1mΩcm方阻测试

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

字组单元损耗检测检测
其他检测

中析研究所可进行各种检测分析服务,包括不限于:标准试验,非标检测,分析测试,认证设计,产品验收,质量内控,矢量分析,内部控制,司法鉴定等。可出具合法合规、具有公信力的第三方检测报告。