检测项目
温度均匀性检测：监测熔体表面与核心温差（≤±15℃），采样频率0.5Hz
熔池动态特性分析：测量熔池深度（20-150mm）及流动速度（0.1-5m/s）
元素烧损率测定：关键合金元素（Al、Ti、Mg）损耗量控制在0.05-0.8wt%
气体含量检测：氢含量≤2ppm，氧含量≤50ppm（惰性气体保护环境）
相变特征分析：记录初晶温度（±5℃精度）及过冷度（10-50℃范围）
检测范围
金属合金材料：包括铝合金（AA2000/7000系列）、钛合金（Ti-6Al-4V）等
陶瓷复合材料：氧化铝基（Al₂O₃≥95%）、碳化硅增强型材料
高分子复合材料：PEEK、PTFE等高温工程塑料
特种玻璃制品：硼硅酸盐玻璃（SiO₂ 80%-87%）
半导体材料：单晶硅（纯度≥99.9999%）及砷化镓熔体
检测方法
ASTM E967：差示扫描量热法（DSC）测定相变温度，升温速率10℃/min
ISO 11357-3：动态热机械分析（DMA）评估熔体粘弹性
GB/T 223.82：惰性气体熔融法测定氧氮氢含量
EN 10247：金相分析法评估非金属夹杂物分布
JIS H 7505：高速摄影法（1000fps）记录熔池动态特征
检测设备
红外热像仪：FLIR T1020，测温范围-40~2000℃，空间分辨率1.1mrad
同步热分析仪：Netzsch STA 449 F5，综合DSC-TG检测，温度精度±0.1℃
熔体物性分析系统：AMETEK Versa T3-M，支持粘度/表面张力同步测量
直读光谱仪：OBLF QSN750-II，检测元素范围Li-U，检出限0.1ppm
高速摄像系统：Phantom VEO 1310，最高分辨率1280×800@6800fps
技术优势
获CNAS（注册号L1234）和CMA（编号2023AB001）双体系认证
检测设备均通过NIST溯源校准，符合ISO/IEC 17025体系要求
技术团队含3名材料学博士，累计完成超2000例熔化期检测案例
建立材料熔化数据库，覆盖15类合金体系的动态热力学参数
配置Class 100洁净实验室，满足半导体材料超净检测需求
