检测项目
温度控制精度：±2°C（范围：200-1200°C）
放电电压稳定性：波动≤5%（范围：300-800V）
退火时间均匀性：误差≤3%（范围：10s-2h）
表面粗糙度变化：Ra≤0.1μm（检测分辨率：0.01μm）
气体纯度要求：氩气≥99.999%，氮气≥99.995%
检测范围
半导体材料：硅片、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）晶圆
金属合金：钛合金、镍基高温合金、不锈钢
陶瓷材料：氧化铝（Al₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）
光学镀膜：ITO导电膜、类金刚石（DLC）涂层
磁性材料：钕铁硼（NdFeB）、铁氧体磁芯
检测方法
ASTM E1256-17：辉光放电处理设备温度校准规范
ISO 14705:2016：非金属材料表面成分分析通用流程
GB/T 13301-2020：金属材料辉光放电退火工艺评定
ISO 16962:2019：镀层厚度及结合力测试方法
GB/T 38714-2020：高纯气体纯度检测技术规范
检测设备
辉光放电光谱仪（GDS）：Thermo Scientific GDS-850A，分辨率0.02nm，检测深度0.1-50μm
四极杆质谱仪：Agilent GDA 450，质量范围1-300amu，检出限0.1ppm
高温退火炉：岛津GDS-9000，最高温度1500°C，控温精度±1°C
表面轮廓仪：Bruker DektakXT，垂直分辨率0.1nm，扫描长度100mm
X射线光电子能谱仪（XPS）：Ulvac PHI 710，能量分辨率0.5eV，空间分辨率10μm
场发射扫描电镜（FE-SEM）：Hitachi SU5000，分辨率1.0nm@15kV，最大放大倍数100万倍
辉光放电处理系统：国产HDGDA-3000，功率0-5kW，真空度≤5×10⁻³Pa
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
