检测项目
带电粒子能量分辨率：ΔE/E ≤0.5%（100 MeV~10 GeV）
中子通量密度检测范围：1×10²~1×10¹⁰ n/(cm²·s)
X/γ射线能谱范围：10 keV~100 MeV，精度±1.5%
粒子束流均匀性：横向分布偏差＜±3%
次级粒子产额测量：误差≤5%（质子轰击重金属靶）
检测范围
核反应堆结构材料（锆合金、碳化硼）
航天器抗辐射电子元件（FPGA、CCD传感器）
半导体晶圆辐照缺陷（300mm硅片）
医学放射性同位素（⁹⁹ᵐTc、¹⁸F）
高能物理实验靶材（钨、液氩探测器介质）
检测方法
ASTM E722-14：中子辐射场表征方法
ISO 8529-2:2000：中子参考辐射场建立规范
GB/T 26168.1-2010：电子元器件辐射硬度检测
IEC 60544-5:2022：绝缘材料辐照老化评估
EJ/T 1212.3-2018：反应堆材料中子活化分析
检测设备
ORTEC HPGe探测器（GEM60P4-83）：能量分辨率≤0.15%（1.33 MeV）
CAEN DT5730数字化采集系统：采样率500 MS/s，16位ADC
Bruker XFlash 6300 X射线探测器：能量分辨率129 eV@Mn-Kα
Horiba PG2000等离子体发生器：质子束流强度0.1-100 μA
Mirion Technologies Neutron REM-500：中子通量检测范围1×10⁰~1×10¹¹ n/cm²
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
