检测项目
平均失效时间（MTTF）：测试电流密度1×10⁶ A/cm²至5×10⁶ A/cm²下的失效时间
电阻变化率：监测通电后电阻值波动范围（±0.5%至±5%）
临界电流密度阈值：测定材料发生电迁移的临界值（典型范围1.5×10⁴~3×10⁴ A/cm²）
激活能计算：通过Arrhenius模型计算活化能（单位：eV）
空洞/晶须形貌分析：记录空洞直径（0.1~5 μm）及分布密度（10²~10⁴/cm²）
检测范围
半导体材料：铜互连线（线宽≤100 nm）、铝基合金薄膜
微电子封装材料：Sn-Ag-Cu焊料、Au/Ni金属化层
导电胶粘剂：银填充环氧树脂（Ag含量70%~85%）
PCB基板材料：FR-4玻璃纤维板、聚酰亚胺柔性基材
纳米金属材料：铜纳米线（直径≤50 nm）、石墨烯复合导电膜
检测方法
国际标准: ASTM F1260（金属薄膜电迁移评估）、JESD61A（集成电路可靠性测试）、IEC 62373（功率器件加速试验）
国家标准: GB/T 4937.2-2023（半导体器件稳态寿命试验）、GB/T 2423.28（电子元件温度梯度法）
行业方法: Black方程建模（J²·exp(-Q/kT)）、扫描开尔文探针力显微镜（SKPFM）原位观测
检测设备
Keithley 4200A-SCS参数分析仪: 支持0.1 fA~1 A电流分辨率，实时监测电阻漂移
Tescan Mira3 XMH扫描电镜: 配备EDS能谱模块，实现亚微米级空洞形貌分析
SUSS MicroTec Probe Station: 温控范围-65℃~300℃，支持多通道并行测试
Thermo Fisher Helios G4 PFIB: 聚焦离子束系统用于截面样品制备（定位精度±10 nm）
Agilent B1500A功率器件分析仪: 脉冲电流模式测试（脉宽1 μs~1 s），避免焦耳热干扰
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
