二硅化钼检测
检测项目
1.化学成分分析:Mo含量(68.0%-72.0%)、Si含量(28.0%-32.0%)、杂质元素(O≤0.5%、C≤0.1%、Fe≤0.3%)。
2.密度测定:理论密度6.24g/cm³±0.05g/cm³(阿基米德法)。
3.维氏硬度测试:载荷500gf,硬度值≥1200HV。
4.抗弯强度测试:室温下≥300MPa(三点弯曲法)。
5.热膨胀系数测定:20-1000℃范围内(8.5-9.5)×10⁻⁶/℃。
6.电阻率测试:室温电阻率≤50μΩ·cm(四探针法)。
检测范围
1.高温加热元件:MoSi₂发热棒、电阻丝。
2.抗氧化涂层材料:航空发动机叶片涂层、高温炉内衬。
3.复合材料基体:MoSi₂-SiC陶瓷基复合材料。
4.粉末冶金制品:烧结MoSi₂电极、坩埚。
5.半导体材料:掺杂型MoSi₂薄膜靶材。
检测方法
1.ASTME1479-16《金属及合金化学分析标准指南》:XRF法测定主量元素。
2.ISO18754:2020《精细陶瓷密度测定》:阿基米德排水法。
3.GB/T4340.1-2009《金属维氏硬度试验》:显微硬度计测试。
4.GB/T6569-2006《精细陶瓷弯曲强度试验方法》:三点弯曲试验。
5.GB/T4339-2008《金属材料热膨胀系数测定》:热机械分析仪(TMA)。
6.ASTMF1529-97(2016)《薄层电阻四探针测量标准》:电阻率测试。
检测设备
1.X射线荧光光谱仪(XRF):岛津EDX-7000,精度±0.01%,用于元素定量分析。
2.电子万能试验机:Instron5982,载荷范围0-100kN,支持三点弯曲测试。
3.显微硬度计:WilsonVH1150,最大载荷1kgf,配备自动压痕测量系统。
4.热膨胀仪:NetzschDIL402ExpedisClassic,温度范围-160℃-2000℃。
5.四探针电阻测试仪:LucasLabsPro4-4400N,量程0.1μΩ·cm-100MΩ·cm。
6.扫描电子显微镜(SEM):FEINovaNanoSEM450,分辨率1nm,用于微观形貌观察。
7.激光粒度分析仪:MalvernMastersizer3000,测量范围0.01-3500μm。
8.高温氧化试验炉:NaberthermRHTH120-600/18,最高温度1600℃,可控气氛环境。
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。