检测项目
1.光电响应特性：包含响应度（A/W）、量子效率（%）、线性度（dB）及动态范围（dB）测量
2.波长精度：中心波长偏移量（nm）、光谱半宽（nm）及边模抑制比（dB）
3.暗电流特性：反向偏压下的漏电流（nA）、噪声等效功率（W/√Hz）及击穿电压（V）
4.调制带宽：3dB带宽（GHz）、眼图质量（Q因子）及上升/下降时间（ps）
5.热稳定性：工作温度范围（℃）、热阻（℃/W）及波长温度漂移系数（pm/℃）
检测范围
1.III-V族半导体激光器芯片（GaAs/InP基）
2.硅基光电探测器阵列（Si/Ge材料体系）
3.铌酸锂电光调制器芯片（LiNbO3基）
4.氮化硅波导材料（Si3N4薄膜）
5.混合集成封装模块（含TIA/Driver芯片）
检测方法
1.光电响应测试：ASTMF1241-22《光探测器响应度测试规程》、GB/T15651-2020《半导体光电子器件测试方法》
2.光谱特性分析：IEC61280-1-3光纤通信子系统测试标准、ISO/IEC14763-3光器件测试规范
3.高频参数测量：GB/T17573-2021《半导体器件分立器件测试方法》、IEC60747-5-3光电耦合器测试标准
4.可靠性试验：MIL-STD-883HMethod1015温度循环试验、JESD22-A104F机械冲击测试
5.失效分析：SEMIMF1619-1109显微红外热成像技术、GB/T4937-2018半导体器件机械气候试验方法
检测设备
1.KeysightN7788B光谱分析仪：波长范围600-1700nm，分辨率0.02nm
2.AgilentB1500A半导体参数分析仪：最小电流分辨率0.1fA，电压范围100V
3.TektronixDPO70000SX示波器：70GHz带宽，支持256Gb/s信号完整性分析
4.NewportOrielCS260B太阳模拟器：光谱匹配度AM1.5GClassAAA级
5.FormFactorCM300xi探针台：支持300mm晶圆级光电参数测试
6.AnritsuMP2110A误码率测试仪：最大速率64GBaud，灵敏度-30dBm
7.Keithley2636B源表：双通道同步输出能力达10A脉冲电流
8.ThermoScientificHeliosG4PFIB聚焦离子束系统：5nm分辨率失效分析
9.FlukeTi450红外热像仪：热灵敏度≤0.03℃，空间分辨率1.1mrad
10.Chroma19032-L1温控试验箱：温度范围-70℃~+180℃，变温速率15℃/min
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
