检测项目
载流子浓度：测量n型/p型半导体的电子/空穴密度（1E14~1E20cm⁻）
迁移率测试：测定载流子霍尔迁移率（10~10⁴cm/(Vs)）
电阻率分析：四探针法测量方块电阻（0.001~100Ωcm）
霍尔系数测定：计算载流子类型与浓度（1E-3~1E1cm/C）
掺杂均匀性评估：扫描式微波阻抗成像（分辨率≤1μm）
检测范围
硅基掺杂材料：磷/硼掺杂单晶硅片（Φ200~300mm）
III-V族化合物：砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)外延片
宽禁带半导体：碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)晶圆
有机半导体：并五苯/PEDOT:PSS薄膜材料
低维半导体：石墨烯/过渡金属硫化物(TMDC)异质结
检测方法
霍尔效应测试：ASTMF76-08(2020)、GB/T1550-2018
四探针法：ASTMF84-20、GB/T1551-2009
二次离子质谱(SIMS)：ISO18114:2021、GB/T32281-2015
扩展电阻探针(SRP)：SEMIMF525-0317
微波光电导衰减(μ-PCD)：JISH0605:2019
检测设备
Keithley4200A-SCS参数分析仪：实现I-V/C-V特性曲线测量
LakeShore8400系列霍尔测试系统：磁场强度0~2T可调
FourDimensions4DP-3000四探针台：支持高温(600℃)测试
CamecaIMS7f-AutoSIMS：深度分辨率＜1nm
SemilabWT-2000微波探针台：载流子寿命测量精度5%
ThermoScientificμ-PCDScanner：扫描速度200mm/s
BrukerDimensionIconAFM：导电原子力显微分析
Agilent5500LSAFM-Raman联用系统：微区电学-光学表征
OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：样品前处理刻蚀
JEOLJSM-7900F场发射SEM：纳米级表面形貌观测
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
