检测项目
1.元素成分分析：采用ICP-MS测定Al、Ga、As等主量元素含量（精度0.01ppm），同步检测Fe、Ni、Cu等痕量金属杂质（检出限≤0.1ppb）2.材料纯度测定：通过GD-MS进行体材料纯度分析（分辨率≥1ppm），结合FTIR检测有机污染物（C-O键特征峰识别）3.粒径分布表征：激光粒度仪测量纳米颗粒D50值（范围10nm-3μm），Zeta电位分析仪测定分散稳定性（0.1mV精度）4.电学参数测试：四探针法测量电阻率（0.1-1000Ωcm），霍尔效应仪载流子浓度检测（灵敏度110^12cm^-3）5.界面特性评估：XPS分析表面元素化学态（结合能分辨率0.05eV），AFM测量表面粗糙度（垂直分辨率0.1nm）
检测范围
1.硅基复合材料：包括掺杂多晶硅、SiC/Si3N4复合衬底等2.III-V族化合物：GaAs外延片、InP基异质结材料等3.光刻胶混合物：含氟聚合物光刻胶、EUV光敏树脂体系4.封装材料：环氧模塑料（EMC）、底部填充胶（Underfill）5.溅射靶材：高纯铜合金靶材（CuMn、CuAl）、ITO陶瓷靶材
检测方法
1.ASTME3061-17《半导体材料中痕量金属的ICP-MS测定》2.ISO14707:2015《辉光放电质谱法表面化学成分分析》3.GB/T14837-2020《半导体材料电阻率测试规范》4.JISH0602-2021《硅晶体中氧含量红外吸收测定方法》5.GB/T35098-2018《微束分析扫描电镜能谱法定量分析》
检测设备
1.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：配备碰撞反应池技术，实现ppt级痕量元素检测2.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：峰值力轻敲模式（PeakForceTapping）实现纳米级形貌表征3.Agilent5500扫描电子显微镜：配备OxfordX-MaxN150能谱仪（空间分辨率1nm）4.MalvernZetasizerPro粒径分析仪：动态光散射技术测量0.3nm-10μm颗粒分布5.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持IV/CV/脉冲测试（电压范围200V）6.PerkinElmerSpectrumTwoFTIR光谱仪：DTGS检测器覆盖7800-350cm^-1波段7.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪：532/633/785nm多波长激发光源8.KLATencorP-7表面轮廓仪：12垂直分辨率台阶高度测量9.LakeShore8404霍尔效应测试系统：0.55T永磁体磁场配置10.UlvacPHIQuantesXPS系统：单色化AlKα光源（1486.6eV）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
