- By 中析研究所
- 2025-05-26 13:38:53
检测项目1.尺寸精度：内径公差0.002mm，外径公差0.003mm，宽度公差0.005mm2.表面粗糙度：滚道Ra≤0.1μm，端面Ra≤0.4μm3.径向游隙：C3级0.02-0.15mm（依据载荷等级）4.硬度测试：表面硬度HRC58-62，芯部硬度HRC25-355.材料成分：GCr15钢含碳量0.95%-1.05%，铬含量1.30%-1.65%6.圆度误差：≤IT5级（最大允许偏差3μm）7.振动等级：Z组≤28dB（按ISO15242-2标准）检测范围1.高碳铬钢轴承（GCr15/GCr18M
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- By 中析研究所
- 2025-05-26 13:38:51
检测项目1.矫顽力（Hc）：测量范围0.1-3000kA/m，精度0.5%2.饱和磁化强度（Ms）：测试范围10-2500emu/g，分辨率0.1emu3.剩磁比（Mr/Ms）：计算值0.1-1.0，误差≤0.024.畴壁迁移率：测试频率DC-10kHz，灵敏度0.1μm/(ms)5.磁畴尺寸分布：观测尺度50nm-500μm，定位精度5nm检测范围1.永磁材料：钕铁硼（NdFeB）、钐钴（SmCo）、铝镍钴（AlNiCo）2.软磁材料：硅钢片、非晶合金（FeSiB）、坡莫合金（FeNi）3.薄膜材料：巨
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- By 中析研究所
- 2025-05-26 13:38:45
检测项目1.弯曲角度精度：测量导管头端在0-360范围内的实际弯曲角度与设定值偏差（3内）2.电极电阻测试：四极电极间直流电阻值（≤5Ω）及交流阻抗（1kHz下≤50Ω）3.疲劳寿命验证：模拟临床操作完成≥5000次弯折循环后功能完整性测试4.绝缘层耐压强度：施加500VDC电压持续60秒无击穿或漏电流＞10μA5.温度耐受性：-20℃至70℃环境存储72小时后性能稳定性验证检测范围1.铂铱合金电极材料（Pt/Ir90/10）2.聚氨酯/硅胶复合导管体（硬度范围55D-75D）3.多腔编织导管结构（内径0
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- By 中析研究所
- 2025-05-26 13:38:41
检测项目1.晶胞参数测定：a/b/c轴长度（0.35-1.2nm），轴间夹角（90-120）2.晶面间距分析：d值范围（0.1-3.5nm），误差≤0.002nm3.晶体取向度测量：极密度分布（0-100%），织构系数（1.0-5.0）4.晶粒尺寸计算：平均粒径（10nm-200μm），分布离散度（5%）5.缺陷密度评估：位错密度（10⁴-10/cm），层错概率（0.01-5%）检测范围1.金属合金：铝合金（AA6061）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温合金（Inconel718）2.半导体材料：单晶
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- 2025-05-26 13:37:49
检测项目1.混合效率：湍流强度（0.1-10m/s）、分散相粒径（1-500μm）、混合均匀度（RSD≤5%）2.温度分布：轴向梯度（≤3℃/cm）、径向偏差（1.5℃）、热交换系数（200-1500W/mK）3.压力稳定性：脉动幅度（≤2%FS）、响应时间（＜50ms）、耐压极限（0.1-10MPa）4.反应动力学参数：停留时间分布（σ≤0.05）、传质系数（10⁻⁴-10⁻m/s）5.材料耐腐蚀性：年腐蚀速率（＜0.1mm/a）、点蚀深度（≤50μm）、应力腐蚀敏感性（CT≤10%）检测范围1.化工原
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- 2025-05-26 13:37:48
检测项目1.元素浓度梯度分析：采用线扫描模式测定Fe/Cr/Ni等主量元素在过渡区的浓度变化梯度（精度0.5wt%）2.显微硬度测试：维氏硬度计HV0.3载荷下测定界面区域硬度分布（测试间距50μm）3.相结构鉴定：XRD分析θ角10-90范围内金属间化合物相组成（步长0.02）4.微观形貌观测：SEM背散射电子成像观察元素偏析现象（分辨率≤3nm）5.扩散层厚度测量：金相法测定合金化区域有效结合层厚度（误差2μm）检测范围1.激光熔覆镍基高温合金涂层系统2.热浸镀铝锌硅钢板表面合金层3.钛合金真空扩散焊
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- By 中析研究所
- 2025-05-26 13:37:46
检测项目1.淋溶层厚度：采用X射线荧光法测定0.5-200μm范围镀层厚度（精度0.1μm）2.元素成分分析：通过EDS能谱仪检测C、O、N等轻元素（检出限0.1wt%）3.结合强度测试：依据ASTMD4541标准进行0-70MPa拉拔试验4.孔隙率测定：使用硝酸蒸汽法评估每平方厘米微孔数量（分辨率0.5μm）5.耐腐蚀性能：按GB/T1771标准进行240h中性盐雾试验检测范围1.金属基材镀层：包括锌镍合金镀层（汽车零部件）、硬铬镀层（液压杆）等2.高分子防护涂层：环氧树脂涂层（输油管道）、聚氨酯涂层（
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- By 中析研究所
- 2025-05-26 13:37:22
检测项目1.正向压降（VF）：测试电流10A-1000A范围下的导通电压值（0.7V-1.8V）2.反向击穿电压（VBR）：施加反向偏压至器件失效临界点（500V-6500V）3.漏电流（IR）：在额定反向电压80%条件下测量（≤10μA@25℃）4.热阻系数（Rth）：结温与壳体温差ΔT=50K时的热传导效率（≤0.15K/W）5.绝缘耐压强度：电极间施加AC3kV/min无击穿放电6.开关特性：反向恢复时间trr≤100ns（测试频率1MHz）检测范围1.硅基整流二极管（Si-PNJunction）2
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