检测项目

1.阈值电压（Vth）：测量栅极开启电压值范围0.1V2.饱和漏极电流（Idss）：测试最大输出电流精度1μA3.跨导（gm）：评估增益特性范围10-500mS4.击穿电压（BVds）：验证耐压性能至3000V5.漏电流（Igs）：检测栅源漏电≤1nA6.开关时间（ton/toff）：测量纳秒级响应速度7.热阻（Rth）：评估散热性能精度0.1℃/W

检测范围

1.GaN基HEMT：适用于5G基站射频前端模块2.AlGaN/GaN异质结器件：覆盖X波段至Ka波段微波电路3.SiC衬底HEMT：用于新能源汽车功率转换系统4.增强型/耗尽型HEMT：区分逻辑电路与功率放大应用5.二维电子气（2DEG）结构器件：面向太赫兹频段探测器

检测方法

1.ASTMF1246-21：半导体器件直流参数测试规范2.IEC60749-27:2020：高频特性S参数测量方法3.JESD22-A108F：加速寿命试验标准4.GB/T17573-2021：半导体分立器件测试通则5.GB/T15878-2018：半导体器件热特性测试6.ISO16750-4:2018：汽车电子环境可靠性试验7.MIL-STD-750-1D：军用器件机械应力测试

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV/1500A高压大电流测试2.TektronixDPO73304SX示波器：70GHz带宽时域特性分析3.CascadeSummit12000探针台：12英寸晶圆级参数提取4.AgilentN5245APNA-X网络分析仪：110GHz矢量网络测试5.ThermoScientificEL34热流仪：热阻测量精度0.05℃/W6.ESPECT3-428L温箱：-70℃~+180℃温度循环测试7.HiSOLHSM-1000高压源表：10kV绝缘耐压测试8.Keithley4200A-SCS参数分析仪：pA级漏电流测量9.HamamatsuC12132太赫兹成像系统：二维载流子分布表征10.BrukerDektakXT轮廓仪：纳米级界面形貌分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。