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不可逆电路检测

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文章概述:检测项目1.反向电流耐受性:测量反向偏压0-1000V区间泄漏电流值(精度0.1nA)2.击穿电压阈值:确定器件失效临界电压(测试范围50-5000V)3.热失效临界点:记录温度梯度50-300℃下的电参数漂移量4.介质耐压强度:验证绝缘层承受AC1500V/60Hz持续1分钟的耐压能力5.瞬态过载响应:模拟10/1000μs浪涌脉冲(峰值20kV)下的失效模式检测范围1.肖特基二极管与齐纳二极管2.IGBT功率模块与MOSFET器件3.多层陶瓷电容器(MLCC)4.高压绝缘栅双极晶体管(HV-IGBT)

检测项目

1.反向电流耐受性:测量反向偏压0-1000V区间泄漏电流值(精度0.1nA)2.击穿电压阈值:确定器件失效临界电压(测试范围50-5000V)3.热失效临界点:记录温度梯度50-300℃下的电参数漂移量4.介质耐压强度:验证绝缘层承受AC1500V/60Hz持续1分钟的耐压能力5.瞬态过载响应:模拟10/1000μs浪涌脉冲(峰值20kV)下的失效模式

检测范围

1.肖特基二极管与齐纳二极管2.IGBT功率模块与MOSFET器件3.多层陶瓷电容器(MLCC)4.高压绝缘栅双极晶体管(HV-IGBT)5.电力电子变换器PCB组件

检测方法

ASTMF1234-18:半导体器件反向特性测试规程IEC60747-9:分立器件热特性测量标准GB/T6571-2018:电子元器件介质耐压试验方法ISO16750-2:2023:汽车电子环境应力测试规范GB4943.1-2022:信息技术设备安全通用要求

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪(最大电压3000V/电流1500A)2.TektronixMSO646GHz示波器(信号完整性分析)3.Chroma19032耐压测试仪(AC/DC5000V输出)4.ESPECPL-3J恒温恒湿箱(温控范围-70℃~180℃)5.HIOKIPW3390功率分析仪(基本精度0.06%)6.ThermoScientificDXR3显微拉曼光谱仪(材料相变分析)7.FLIRA8580红外热像仪(热分布成像分辨率640512)8.Agilent4294A阻抗分析仪(频率范围40Hz-110MHz)

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

不可逆电路检测
中析研究所

北京中科光析科学技术研究所(简称中析研究所),隶属于北京前沿科学技术研究院,为集体所有制单位,是以科研检测为主的科学技术研究机构。中析研究所坚持基础研究与应用研究并重、应用研究和技术转化相结合,发展为以“任务带学科”为主要特色的综合性研究所。经国家有关部门批准,成为第三方分析测试技术服务单位,旗下实验室机构获得CMA资质认证。开展了研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等服务,为科技型企业创新提供公共服务。本所得到政府创新基金的支持,被评为国家高新技术企业。

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