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窄带隙半导体检测方法

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文章概述:1. 光电流谱检测:通过测量样品的光电流谱,可以确定其带隙大小。该检测方法利用样品吸收入射光的能量,使光生载流子激发到导带中产生电流。根据电流强度随能量变化的关系,可以确

1. 光电流谱检测:通过测量样品的光电流谱,可以确定其带隙大小。该检测方法利用样品吸收入射光的能量,使光生载流子激发到导带中产生电流。根据电流强度随能量变化的关系,可以确定带隙大小。

2. 光吸收谱检测:通过测量样品在一定波长范围内的吸收特性,可以得到光子能量与吸收强度的关系。根据光子能量对应的波长和吸收强度的变化规律,可以确定带隙大小。

3. 光致发光谱检测:通过对样品施加光或电子束激发,观察样品在可见光或紫外光区域的发光特性,并分析其能量与波长的关系。根据发光峰对应的能量值,可以确定带隙大小。

4. X射线衍射检测:通过照射样品的X射线,并观察其衍射图样。根据衍射峰的位置和强度,可以确定晶体结构和晶格常数,从而间接得到带隙大小。

窄带隙半导体检测方法
中析研究所

北京中科光析科学技术研究所(简称中析研究所),隶属于北京前沿科学技术研究院,为集体所有制单位,是以科研检测为主的科学技术研究机构。中析研究所坚持基础研究与应用研究并重、应用研究和技术转化相结合,发展为以“任务带学科”为主要特色的综合性研究所。经国家有关部门批准,成为第三方分析测试技术服务单位,旗下实验室机构获得CMA资质认证。开展了研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等服务,为科技型企业创新提供公共服务。本所得到政府创新基金的支持,被评为国家高新技术企业。

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