正电子湮灭术（Positron annihilation spectroscopy）是一种非常有效的材料表征技术，可以用于研究材料的电子结构、缺陷和表面性质等方面。以下是正电子湮灭术的几种常见检测方法：

1. 径迹测量：通过测量正电子在材料中的径迹来了解材料的晶体结构、缺陷及动力学信息。常用的测量方法有正电子衰变寿命谱（Positron annihilation lifetime spectroscopy，PALS）、正电子动能谱（Positronium annihilation spectroscopy，PAS）等。

2. 能谱测量：通过测量正电子湮灭后释放出的γ射线能谱，可以获得有关材料内部电子结构和缺陷状态的信息。常用的方法有γ衰变谱（Gamma ray spectroscopy）和γ-γ角关联测量（γ-γ angular correlation measurement）。

3. 晶格参数测量：通过正电子湮灭前后的动量变化，可以测量材料的晶格参数和缺陷的类型和浓度。常用的方法有能点谱（Doppler broadening spectroscopy，DBS）、B-因子谱（B-factor spectroscopy）等。

4. 表面测量：通过测量正电子在材料表面湮灭的特性，可以研究材料表面结构、吸附态及表面缺陷等。常用的方法有正电子能损深度剖面（Slow positron beam depth profiling）和正电子注入光电子能谱（Positron-induced Auger electron spectroscopy）等。