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外延扩散法检测方法

因您的需求、实验方案、检测样品、测试过程不同,相应的参考标准请咨询在线工程师!

文章概述:外延扩散法检测方法用于半导体外延层中杂质浓度与扩散深度分布的测量分析,是化合物半导体工艺的重要评价手段。

检测项目

1.外延层厚度:厚度示值,均匀性,重复性,分辨率等。

2.杂质浓度:掺杂浓度,分布曲线,峰值位置,校准曲线等。

3.扩散深度:结深示值,深度分辨率,扩散剖面,重复性等。

4.载流子浓度:霍尔浓度,迁移率,方块电阻,置信区间等。

5.电阻率:体电阻率,方块电阻,分布均匀度,重复性等。

6.晶格缺陷:位错密度,层错密度,缺陷尺寸,分布均匀等。

7.结深:结深示值,结面平整度,重复性,校准方法等。

8.均匀性:片内均匀,片间均匀,批次均匀,变异系数等。

9.重复性:示值重复性,再现性,临界差,偏差等。

10.表面形貌:粗糙度,颗粒密度,雾度,划痕等。

11.厚度分布:中心厚度,边缘厚度,厚度梯度,径向分布等。

12.标定方法:标准片溯源,参考方法,比对频次,溯源链等。

检测范围

原材料样品、半成品样品、成品样品、部件样品、组件样品、元件样品、加工样品、试制样品、量产样品、召回样品、环境模拟样品、失效复现样品、对比基准样品、批量随机样品、客户送检样品

检测仪器

1.扩展电阻测试仪:用于外延层电阻率与浓度剖面测量;具备斜面抛光与自动测点。

2.四探针测试仪:用于方块电阻与电阻率测量;具备高精度恒流源与电极。

3.椭圆偏振仪:用于外延层厚度与折射率测量;具备多角度与多波长测量。

4.二次离子质谱仪:用于杂质浓度深度分布分析;具备高灵敏度与深剖面。

5.霍尔效应测试仪:用于载流子浓度与迁移率测量;支持多温区与多磁场强度。

6.金相显微镜:用于结深与晶格缺陷观察测量;具备高倍物镜与图像采集。

7.表面轮廓仪:用于表面形貌与粗糙度测量;具备纳米级分辨率与多参数。

8.X射线衍射仪:用于晶格常数与外延质量评估;具备高分辨与双晶结构。

9.分析天平:用于试样制备与质量称量;具备0.1mg分辨率与防风结构。

10.数据采集系统:用于测试参数同步采集与归档;支持多通道与高速采样。

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室拥有CMA/CNAS/ISO资质。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

外延扩散法检测方法
中析研究所

北京中科光析科学技术研究所(简称中析研究所),隶属于北京前沿科学技术研究院,为集体所有制单位,是以科研检测为主的科学技术研究机构。中析研究所坚持基础研究与应用研究并重、应用研究和技术转化相结合,发展为以“任务带学科”为主要特色的综合性研究所。经国家有关部门批准,成为第三方分析测试技术服务单位,旗下实验室机构获得CMA资质认证。开展了研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等服务,为科技型企业创新提供公共服务。本所得到政府创新基金的支持,被评为国家高新技术企业。

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