检测项目

带电粒子能量分辨率：ΔE/E ≤0.5%（100 MeV~10 GeV）

中子通量密度检测范围：1×10²~1×10¹⁰ n/(cm²·s)

X/γ射线能谱范围：10 keV~100 MeV，精度±1.5%

粒子束流均匀性：横向分布偏差＜±3%

次级粒子产额测量：误差≤5%（质子轰击重金属靶）

检测范围

核反应堆结构材料（锆合金、碳化硼）

航天器抗辐射电子元件（FPGA、CCD传感器）

半导体晶圆辐照缺陷（300mm硅片）

医学放射性同位素（⁹⁹ᵐTc、¹⁸F）

高能物理实验靶材（钨、液氩探测器介质）

检测方法

ASTM E722-14：中子辐射场表征方法

ISO 8529-2:2000：中子参考辐射场建立规范

GB/T 26168.1-2010：电子元器件辐射硬度检测

IEC 60544-5:2022：绝缘材料辐照老化评估

EJ/T 1212.3-2018：反应堆材料中子活化分析

检测设备

ORTEC HPGe探测器（GEM60P4-83）：能量分辨率≤0.15%（1.33 MeV）

CAEN DT5730数字化采集系统：采样率500 MS/s，16位ADC

Bruker XFlash 6300 X射线探测器：能量分辨率129 eV@Mn-Kα

Horiba PG2000等离子体发生器：质子束流强度0.1-100 μA

Mirion Technologies Neutron REM-500：中子通量检测范围1×10⁰~1×10¹¹ n/cm²

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。