检测项目

1.反向击穿电压（VBR）：测试范围10kV-200kV，精度0.5%2.正向导通电压（VF）：测量阈值0.7V-3.0V（@25℃）3.漏电流（IR）：量程0.1nA-10mA（@额定VR）4.结电容（Cj）：测试频率1MHz2%5.热阻系数（RθJC）：温度梯度测试范围25℃-175℃

检测范围

1.电力电子设备用硅基高压整流二极管2.汽车电子系统瞬态抑制二极管（TVS）3.光伏逆变器用快恢复二极管模块4.医疗设备X射线发生器专用高压堆5.航空航天设备抗辐射加固型二极管

检测方法

ASTMF3583-2022《半导体器件反向击穿电压测试规程》IEC60747-1:2022《分立器件通用测试基准》GB/T4023-2015《半导体器件整流二极管测试方法》ISO16750-2:2023《汽车电子环境试验标准》GJB33A-2020《半导体分立器件通用规范》

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持200kV/1000A脉冲测试2.TektronixDMM6500数字万用表：6位分辨率漏电流测量3.Chroma19032耐压测试仪：AC/DC双模式绝缘测试4.AgilentE4980ALCR表：1MHz精密结电容测量5.FLIRA655sc红外热像仪：非接触式热分布分析6.ESPECPL-3KPH温度冲击试验箱：-70℃~+180℃循环测试7.HIOKIPW3390功率分析仪：动态导通损耗测量8.ThermoScientificCL24盐雾试验箱：符合IEC60068-2-11标准9.OMRONZS-HL系列激光位移计：封装形变监测10.NIPXIe-4143源测量模块：多通道参数同步采集

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。