检测项目
1.正向压降（VF）：测量0.1A-50A电流范围内的导通电压值（典型值0.3V-1.5V）2.反向击穿电压（VR）：验证器件在反向偏置下的耐压能力（范围20V-3000V）3.结电容（Cj）：测试零偏至额定反压条件下的结电容变化（典型值10pF-10nF）4.反向恢复时间（trr）：评估开关特性时测量ns级恢复时间5.热阻（RθJC）：测定结壳间热传导性能（单位℃/W）
检测范围
1.硅基肖特基二极管（SBD）系列产品2.碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管3.氮化镓（GaN）异质结肖特基器件4.金属-半导体场效应晶体管（MESFET）5.汽车级AEC-Q101认证器件
检测方法
1.电性能测试依据GB/T6571-2018《半导体器件分立器件测试方法》2.高温反偏试验采用IEC60747-1:2006标准3.热特性分析执行ASTMF382-2019规范4.开关特性测试参照JEDECJESD282B.015.可靠性验证依据GJB128A-97军标体系
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：执行IV/CV特性曲线扫描2.TektronixMSO64B示波器：捕获ns级瞬态响应波形3.Chroma19032功率循环测试系统：模拟实际工况老化4.ThermoScientificDelta3200热成像仪：监测结温分布5.ESPECPL-3K环境试验箱：进行-65℃~+175℃温循试验6.HiokiIM3590化学阻抗分析仪：测量寄生参数7.INNOVATESTFalcon500热阻测试仪：计算RθJC参数8.Agilent4284ALCR表：精确测量结电容特性9.Fluke6100B电能质量标准源：提供基准测试信号10.CascadeSummit12000探针台：实施晶圆级参数测试
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
