检测项目

1.导通电阻（R_DS(on)）：测量范围0.1mΩ-10Ω，精度0.5%2.击穿电压（V_BR）：测试范围50V-10kV，漏电流阈值≤1μA3.开关时间（t_on/t_off）：分辨率0.1ns，最大测试频率10MHz4.热阻（R_thJC）：温度范围-65℃-200℃，误差1℃5.漏电流（I_leakage）：灵敏度0.1nA@25℃，最高测试电压6kV

检测范围

1.MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）2.IGBT（绝缘栅双极型晶体管）3.晶闸管（SCR/TRIAC）4.功率二极管（快恢复/肖特基二极管）5.宽禁带半导体器件（SiC/GaN基开关）

检测方法

1.ASTMF42-20：宽禁带半导体热特性测试标准2.IEC60747-9：分立器件动态参数测量规范3.GB/T4023-2015：普通晶闸管测试方法4.JEDECJESD24-12：功率MOSFET可靠性评估指南5.ISO16750-4：汽车电子环境应力试验要求

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持10kV/1500A脉冲测试2.TektronixDPO70000SX示波器：70GHz带宽，用于ns级开关波形捕获3.Chroma19032功率循环测试机：温度冲击循环次数＞10万次4.Fluke8588A参考级万用表：8.5位分辨率，0.0015%基本精度5.ThermoScientificCL6气候箱：-70℃至+180℃快速温变测试6.HiokiIM3590阻抗分析仪：10μHz-200MHz频段特性测量7.Agilent4294A精密LCR表：40Hz-110MHz阻抗参数分析8.ESPECPCT-120压力蒸煮试验箱：双85环境可靠性验证9.OmicronBode100频响分析仪：环路稳定性测试至40MHz10.SonixHS1000超声波扫描显微镜：封装内部缺陷无损检测

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。