检测项目
1.栅极电流密度：测量范围1-1000A/cm，精度0.5%2.漏电流特性：阈值电压20V范围内漏电流值（1nA-10μA）3.阈值电压漂移：连续工作1000小时后ΔVth≤50mV4.动态响应时间：上升/下降时间≤10ns（测试频率1MHz）5.温度依赖性：-55℃至175℃范围内电流稳定性测试
检测范围
1.第三代半导体材料：SiCMOSFET/GaNHEMT晶圆2.功率分立器件：IGBT模块、FRD二极管3.MEMS传感器：压电驱动器的栅介质层4.存储器件：3DNAND闪存单元结构5.光电器件：CCD/CMOS图像传感器像素阵列
检测方法
1.ASTMF1248-16：半导体材料静态栅流测试规程2.ISO16700:2020：纳米尺度器件动态特性测量方法3.GB/T15878-2018：分立器件高温栅偏压试验标准4.JESD22-A117E：电子器件电迁移效应加速测试5.IEC60749-27:2019：功率模块热载流子注入评估
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000V/1500A脉冲测试2.Tektronix4200A-SCS参数分析系统：亚微安级电流分辨率3.Agilent4156C精密半导体分析仪：温度控制精度0.1℃4.Keithley2636B双通道源表：100fA级低电流测量能力5.CascadeSummit12000探针台：12英寸晶圆级测试平台6.ThermoStreamT-2600温度冲击系统：-70℃至+225℃快速温变7.HBMGenesisHighSpeed数采系统：10GS/s采样率瞬态记录8.FEIHeliosG4UX聚焦离子束：纳米级结构剖面分析9.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：皮米级表面形貌表征10.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE刻蚀机：界面缺陷控制
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
