检测项目
1.正向压降（VF）：测试条件IF=1A时典型值0.7-1.1V2.反向击穿电压（VRRM）：额定值50-1000V范围内5%偏差3.反向漏电流（IR）：VR=80%VRRM时≤10μA4.结电容（Cj）：1MHz频率下测量值≤50pF5.热阻（RθJA）：稳态法测量值≤100℃/W
检测范围
1.普通整流二极管（1N400x系列）2.快恢复二极管（FR30x系列）3.肖特基二极管（1N58xx系列）4.稳压二极管（1N47xx系列）5.开关二极管（1N4148系列）
检测方法
GB/T4023-2015《半导体器件分立器件第2部分：整流二极管》IEC60747-1:2006《半导体分立器件通用规范》ASTMF1573-21《半导体器件热特性测试标准》JEDECJESD51-1《集成电路热测量方法》GB/T4937-2018《半导体器件机械和气候试验方法》
检测设备
KeysightB1505A功率器件分析仪：IV特性曲线测试Chroma19032耐压测试仪：反向击穿电压测量TektronixDMM4040万用表：静态参数采集Agilent4284ALCR表：结电容特性分析FLIRA655sc红外热像仪：热分布成像ESPECPL-3KFP温箱：-65℃~150℃温度循环测试Keithley2604B源表：高精度漏电流测量HIOKIPW3390功率分析仪：动态功耗测试
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
