检测项目

1.晶格常数测定：测量a,b,c轴长度（精度0.001），角度α,β,γ偏差（0.01）2.取向偏差分析：测定晶粒取向差角（0.1-45），统计CSL边界分布3.热膨胀系数测试：温度范围-196℃~1600℃，测量ΔL/L0（分辨率110⁻⁶/K）4.残余应力分布：三维应力场测绘（灵敏度5MPa），深度分辨率达10μm5.缺陷密度计算：位错密度（10⁴-10/cm），空位浓度（ppm级）

检测范围

1.金属材料：铝合金（AA6061/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温合金（Inconel718）2.陶瓷材料：氧化铝（Al₂O₃）、碳化硅（SiC）、氮化硼（h-BN）3.半导体材料：单晶硅（111/100晶向）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）4.薄膜涂层：PVD/CVD沉积层（厚度50nm-20μm）、热障涂层（YSZ）5.地质样品：方解石（CaCO₃）、石英（SiO₂）、黄铁矿（FeS₂）

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME915（残余应力）、GB/T8362（晶格常数）2.电子背散射衍射：ISO24173（取向成像）、GB/T38885（晶界特性）3.中子衍射分析：ISO21484（深层应力）、ASTME2861（大体积样品）4.同步辐射技术：ISO/TS21432（高分辨应变测绘）5.拉曼光谱法：GB/T36065（纳米材料晶格振动分析）

检测设备

1.X射线衍射仪：PANalyticalEmpyrean（2θ范围0-168，Cu靶Kα辐射）2.EBSD系统：OxfordInstrumentsSymmetryS2（分辨率0.05μm@20kV）3.高温衍射炉：AntonPaarHTK16（最高1600℃，真空度10⁻⁵mbar）4.残余应力分析仪：ProtoLXRD（Ψ角45，激光定位精度1μm）5.三维原子探针：CAMECALEAP5000XS（质量分辨率m/Δm>2000）6.同步辐射光束线：上海光源BL14B1（能量范围5-20keV）7.透射电镜：FEITalosF200X（点分辨率0.16nm）8.拉曼光谱仪：RenishawinViaQontor（532nm激光，光谱分辨率0.5cm⁻）9.中子衍射仪：中国散裂中子源EMU（应变测量精度50με）10.热机械分析仪：NETZSCHDIL402C（膨胀量程2500μm）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。