检测项目

1.阈值电压（Vth）：测量范围30V，精度0.1mV2.跨导（gm）：测试频率1kHz-1MHz，分辨率0.1mS3.漏源击穿电压（BVdss）：最大测试电压3000V，步进精度0.5%4.栅极漏电流（Igss）：量程1pA-10mA，误差≤2%5.开关时间（ton/toff）：时间分辨率10ns

检测范围

1.金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）2.结型场效应晶体管（JFET）3.氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）4.有机半导体场效应晶体管（OFET）5.IGBT功率模块

检测方法

1.ASTMF1241-2018：阈值电压温度特性测试2.IEC60747-8：分立器件动态参数测量3.GB/T17573-2021：半导体器件电参数测试通则4.ISO16750-4：汽车电子环境可靠性试验5.JESD22-A108F：静电放电敏感度分级

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持DC-IV/CV/脉冲测试2.TektronixDPO7254示波器：带宽2.5GHz，采样率40GS/s3.Chroma19032功率器件测试系统：最大电流2000A4.Keithley4200A-SCS特性分析系统：集成探针台控制5.ThermoStreamT-2600温度冲击箱：温变速率60℃/s6.AgilentE4980ALCR表：频率范围20Hz-2MHz7.HBMGenesisHighSpeed数采系统：同步通道128个8.ESDA20静电放电模拟器：接触放电30kV9.Fluke289真有效值万用表：基本精度0.025%10.CascadeSummit12000探针台：支持12英寸晶圆测试

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。