检测项目

表面粗糙度：Ra值测量范围0.1-100nm（ISO 4287），表征微观不平度

厚度均匀性：厚度偏差±0.5μm内（SEMI M1），确保整体一致性

平整度：总厚度变化（TTV）≤1μm（SEMI M1），评估宏观变形

表面缺陷密度：颗粒尺寸>0.1μm检测（ISO 14644-1），计数每平方厘米缺陷

化学组成：元素分析精度±1ppm（ASTM E1252），识别杂质含量

表面形貌：3D轮廓分辨率0.01μm（ISO 25178），描绘微观结构

晶格取向：偏差<0.1度（ASTM F26），确定晶体排列方向

表面污染：离子浓度<1ppb（SEMI C35），检测残留污染物

机械强度：微硬度测试范围50-1000HV（ISO 6507），评估抗压性能

电学性能：电阻率测量0.001-1000Ω·cm（ASTM F76），分析导电特性

光学性能：反射率误差±0.5%（ASTM D1003），量化光响应能力

热性能：热膨胀系数精度±0.1ppm/°C（ASTM E228），测定温度响应

应力分析：残余应力测量范围0-500MPa（ISO 18559），识别内部张力

表面能：接触角测量误差±1度（ASTM D7334），评估润湿性

抛光质量：光泽度均匀性>95%（GB/T 13891），检查工艺效果

检测范围

硅单晶抛光片：直径100-300mm，用于集成电路制造

砷化镓抛光片：高频器件基材，厚度200-500μm

碳化硅抛光片：高温应用，表面粗糙度<0.5nm

蓝宝石衬底：LED行业，平整度≤5μm

石英晶圆：光学元件，厚度均匀性±1μm

锗抛光片：红外探测器，缺陷密度<10/cm²

磷化铟抛光片：光通信器件，晶格取向精度0.05度

氮化镓抛光片：功率半导体，化学纯度>99.99%

氧化铝陶瓷基板：封装材料，表面粗糙度Ra<0.1μm

玻璃基板：显示面板，厚度偏差±0.2μm

金属化晶圆：镀层厚度测量范围0.01-10μm

薄膜涂层晶圆：抗反射层，厚度均匀性>98%

复合半导体抛光片：如InGaAs，电学性能测试

多晶硅片：太阳能电池，表面缺陷检测

太阳能电池晶圆：效率验证，电阻率0.5-5Ω·cm

检测方法

原子力显微镜法：依据ISO 25178测量表面粗糙度和形貌

激光干涉法：执行GB/T 11337-2004平整度检测，精度0.1μm

扫描电子显微镜法：采用SEMI M53标准进行缺陷识别

X射线衍射法：符合ASTM E1426测定晶格取向

四探针法：依据ASTM F84测量电阻率，误差<2%

椭圆偏振法：用于厚度测量（ISO 14707），分辨率0.1nm

二次离子质谱法：参照SEMI C35分析表面污染

红外光谱法：化学组成鉴定（ASTM E168），波长范围2.5-25μm

纳米压痕法：机械强度测试（ISO 14577），载荷0.1-500mN

接触角测量法：表面能评估（ASTM D7334），液滴体积0.5-2μL

热膨胀仪法：热性能测定（ASTM E228），温度扫描速率0.1-10°C/min

拉曼光谱法：应力分析（ISO 18559），激光波长532nm

白光干涉法：表面形貌重建（ISO 25178），垂直分辨率0.01nm

激光散射法：缺陷检测（ISO 14644-1），散射角范围5-170度

电化学阻抗谱法：电学性能测试（ASTM G106），频率0.01-100kHz

检测设备

高精度表面轮廓仪：测量表面粗糙度，分辨率0.01nm，兼容ISO 4287

激光平整度测量系统：检测TTV和Warp，精度0.1μm，适用直径450mm晶圆

自动缺陷检测仪：识别颗粒和划痕，最小尺寸0.1μm，吞吐量50片/小时

X射线荧光光谱仪：元素分析，检出限1ppm，多元素同时检测

原子力显微镜：3D表面形貌分析，横向分辨率0.2nm，非接触模式

四探针电阻率测试仪：测量范围0.001-1000Ω·cm，自动校准功能

椭圆偏振仪：薄膜厚度测量，精度±0.1nm，光谱范围190-1700nm

纳米压痕仪：硬度测试，载荷范围0.1-500mN，符合ISO 14577

接触角测量仪：表面能分析，精度±0.5度，温度控制-20-150°C

热膨胀分析仪：热性能测试，温度范围-150-1500°C，膨胀系数误差<0.05%

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。