检测项目
静态电流测试：
- 待机电流：泄漏电流（ILEAK≤1μA）、亚阈值电流（参照JESD78）
- 休眠模式电流：功耗值（P≤10μW），电压范围（0.8V-1.2V）
- 工作电流：峰值电流（IPP）、平均电流（IAVG，精度±0.5%）
- 瞬态响应：上升/下降时间（tr/tf≤5ns），过冲率（≤10%）
- 频率相关电流：电流-频率曲线（DC-1GHz）
- 栅极漏电流：IG（≤1nA/cm²）
- 结漏电流：IJ（参照JESD22-A108）
- 温度依赖漏电流：ΔI/ΔT（-40°C至125°C）
- 电源噪声：纹波电压（Vripple≤50mV），PSRR（≥60dB）
- 电流瞬变：di/dt（≥1A/ns），瞬态响应时间
- 静态功耗：PDQ（≤100μW）
- 动态功耗：PDYN（计算公式P=CV²f），功耗效率（η≥90%）
- 短路电流：ISC（阈值＞100mA）
- 开路故障电流：IOFF（≤1μA误差）
- 过载电流：IOV（保护阈值，参照IEEEJianCe9.1）
- 热致电流漂移：ΔIDD（-55°C至150°C）
- 结温相关电流：ITJ（斜率≤0.1%/°C）
- 开关噪声：ISW（频谱密度≤1nA/√Hz）
- 共模噪声：ICM（抑制比≥40dB）
- 电流带宽：BW（DC-10GHz）
- 相位偏移：φ（≤5°误差）
- 老化电流：IDD_aging（变化率≤2%/kh）
- ESD电流：IESD（抗扰度≥2kV）
检测范围
1.数字逻辑芯片：涵盖CMOS工艺器件，重点检测开关动态电流和静态功耗以优化门级设计。
2.模拟芯片：包括运算放大器等，侧重电源抑制比（PSRR）和噪声电流分析。
3.混合信号芯片：如ADC/DAC转换器，聚焦数字-模拟接口的电流瞬变和耦合噪声。
4.微控制器单元（MCU）：涉及低功耗模式电流测试，确保睡眠模式漏电控制。
5.存储器芯片：SRAM/DRAM类型，重点检测读写操作电流和刷新周期功耗。
6.现场可编程门阵列（FPGA）：针对可重构逻辑，验证配置电流和时钟网络功耗。
7.专用集成电路（ASIC）：定制化芯片，检测工艺角电流变异和电源完整性。
8.电源管理芯片：如DC-DC转换器，强调效率电流和开关瞬态响应。
9.RF芯片：无线通信器件，重点测试射频电流谐波和相位噪声。
10.传感器芯片：包括MEMS器件，检测唤醒电流和微弱信号电流精度。
检测方法
国际标准：
- JEDECJESD78:集成电路静态电流测试方法
- IEEEJianCe9.1:边界扫描电流测试规程
- IEC61967:集成电路电磁发射电流测量
- GB/T17574:半导体器件电流参数测试通则
- GB/T4937:微电子器件可靠性电流试验
检测设备
1.源测量单元：SMU-5000型（电流范围1pA-10A，分辨率0.1fA）
2.数字示波器：DSO-8000系列（带宽10GHz，采样率100GS/s）
3.电流探头：CP-100A型（带宽DC-120MHz，精度±1%）
4.逻辑分析仪：LA-6000型（通道数256，时间分辨率10ps）
5.功率分析仪：PA-3000型（功率范围0.1μW-3kW，误差±0.05%）
6.频谱分析仪：SA-9000型（频率范围9kHz-40GHz，动态范围120dB）
7.温度控制箱：TC-200型（温控范围-65°C至200°C，稳定度±0.1°C）
8.信号发生器：SG-7000型（输出频率DC-20GHz，波形失真＜0.1%）
9.数字万用表：DMM-4000型（电流测量精度±0.01%，分辨率1nA）
10.波形发生器：WG-5000型（输出电流0-5A，上升时间＜1ns）
11.阻抗分析仪：IA-3000型（频率范围20Hz-120MHz，阻抗精度±0.1%）
12.噪声测量系统：NMS-200型（噪声基底＜1pA/√Hz，带宽1MHz）
13.ESD测试仪：ESD-1000型（放电电压0-30kV，电流波形符合IEC61000）
14.数据采集系统：DAQ-8000型（采样率1MS/s，通道数64）
15.热成像仪：TI-500型（温度分辨率0.01°C，空间分辨率10μm）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
