检测项目

结构表征：

• 镀层厚度：局部厚度偏差≤0.2μm（IPC-4552）
• 晶粒尺寸：平均晶径（EBSD取向成像）
• 表面形貌：粗糙度Ra≤0.05μm（ISO4287）

• 元素分布：Cu纯度≥99.9%（GB/T5121.27）
• 杂质含量：S/Cl离子≤5ppm（IEC62321-7）
• 合金元素：Sn/Ni界面扩散浓度（EDAX面扫）

• 电阻变化率：ΔR/R0≥10%判失效（JESD22-A120C）
• 漏电流：0-100V阶梯偏压（灵敏度1pA）
• 介质耐压：击穿电压≥500V/mm

• IMC层厚度：Cu6Sn5≤3μm（SEM截面）
• 结合强度：附着力≥15MPa（ASTMD4541）
• 界面孔隙率：≤0.1%（X射线断层扫描）

• 温湿度偏置：85℃/85%RH@5V（JESD22-A101）
• 温度循环：-55℃~125℃（IEC60068-2-14）
• 混合气体腐蚀：H2S/SO2浓度10ppb（ASTMB827）

• 电流密度：临界值≥1MA/cm²（Black方程）
• 热机械应力：CTE失配度（TMA法）
• 电迁移速率：活化能测算（Arrhenius模型）

• 枝晶形貌：SEM/EDS元素映射
• 失效定位：红外热成像（分辨率3μm）
• 空洞率：FIB截面三维重建

• 高温存储：150℃@1000h（JESD22-A103）
• 高加速测试：130℃/85%RH@12V
• 电流阶梯法：步进增量0.1A/min

• 显微硬度：HV0.01≥120（ISO6507）
• 延展性：裂纹扩展能（纳米压痕法）

• 电场分布：COMSOL多物理场仿真
• 离子扩散：浓度梯度模型参数

检测范围

1.PCB线路板铜镀层：通孔/盲孔镀铜层，重点检测电流密度集中区枝晶生长

2.引线框架表面镀层：QFN/LGA封装铜引脚，侧重界面IMC层致密性分析

3.连接器端子镀层：高频高速连接器，关注微动摩擦导致的离子迁移加速

4.芯片铜互连结构：BEOL工艺CuDamascene，检测通孔/沟槽的电迁移空位集聚

5.功率模块键合铜线：直径50-500μm键合线，考核大电流负载下的电化学腐蚀

6.电磁屏蔽镀层：腔体镀铜屏蔽层，验证高频电场作用下的离子输运

7.柔性电路镀铜膜：PI基材覆铜膜，分析弯曲应力与离子迁移耦合效应

8.3D封装TSV镀铜：硅通孔填充铜柱，检测Z向热应力导致的界面失效

9.散热基板铜镀层：IMS基板铜电路，考核热循环下的镀层剥离倾向

10.MEMS器件电极：微机电系统铜电极，聚焦微区电场分布不均匀性

检测方法

国际标准：

• JESD22-A120C电迁移诱发电阻变化测试
• IPC-TM-6502.6.25镀铜层加速腐蚀试验
• IEC60068-2-20表面迁移离子污染度测定
• ASTMF1260金属电迁移失效时间统计方法

• GB/T2423.16交变湿热试验方法（温变速率1℃/min）
• GB/T16545金属沉积层孔隙率检验
• GB/T1771色漆和清漆耐中性盐雾性能
• SJ/TJianCe82电子封装铜互连线电迁移测试（恒流法）

检测设备

1.聚焦离子束系统：FEIHeliosG4UX（分辨率1nm，束流1pA-65nA）

2.扫描电镜：ZeissGemini500（SE分辨率0.8nm，EDS探测限0.1wt%）

3.四探针测试仪：Keithley2450（电流范围1pA-1A，电阻测量精度±0.1%）

4.高加速试验箱：ESPECTABAIPN-120（温变速率15℃/min，湿度范围10-98%RH）

5.原子力显微镜：BrukerDimensionIcon（扫描范围90μm，Z向分辨率0.05nm）

6.纳米压痕仪：AgilentG200（载荷分辨率50nN，位移分辨率0.01nm）

7.红外热像仪：FLIRX8510（热灵敏度20mK，空间分辨率1.1mrad）

8.X射线能谱仪：OxfordX-Max80（能量分辨率122eV，元素范围B-U）

9.电化学工作站：PARSTAT4000A（频率范围10μHz-1MHz，电位精度±0.2mV）

10.三维X射线显微镜：ZeissXradia620（分辨率0.7μm，穿透力>60mm钢）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。