电子元器件耐硫化氢试验
检测项目
腐蚀性能检测:
- 腐蚀速率:≤0.01mm/year(参照ISO9227)
- 重量损失:≤5mg/cm²(暴露后测量)
- 表面氧化层厚度:≤2μm(SEM分析)
- 电阻值变化:≤±5%(初始值对比)
- 电容值漂移:≤±10%(频率响应测试)
- 绝缘电阻:≥10GΩ(参照IEC60167)
- 抗拉强度:≥100MPa(端子连接测试)
- 弯曲疲劳寿命:≥10⁵次循环(三点弯曲法)
- 表面粗糙度:Ra≤0.8μm(AFM测量)
- 腐蚀坑深度:≤10μm(参照ASTME3)
- 热导率变化:≤±5%(热流计法)
- 热膨胀系数:CTE≤20ppm/°C(参照JISH8501)
- 硫化物残留量:≤10ppm(EDX分析)
- 氯离子含量:≤5ppm(离子色谱法)
- 泄漏率:≤1×10⁻⁶Pa·m³/s(氦质谱检漏)
- 密封圈压缩永久变形:≤30%(参照ISO815)
- 加速寿命因子:≥10(Arrhenius模型)
- 失效时间预测:MTTF≥10年(Weibull分析)
- 铜含量偏差:≤±0.5wt%(XRF检测)
- 镍层厚度:≥3μm(参照GB/T6462)
- 温湿度控制:±2°C/±5%RH(参照IEC60068)
- 气体浓度稳定性:±5%偏差(实时监测)
检测范围
1.集成电路(IC):重点检测引脚腐蚀、内部电路短路风险及金线键合完整性。
2.电阻器:评估电阻值漂移、端子氧化程度及陶瓷基体耐蚀性。
3.电容器:检测电解液泄漏、电极腐蚀及容量衰减率。
4.连接器:侧重接触电阻变化、插拔力稳定性及镀层剥落风险。
5.PCB板:分析铜走线腐蚀、绝缘层退化及焊点可靠性。
6.晶体管:评估结温漂移、封装密封性及输出特性变化。
7.传感器:检测敏感元件腐蚀、信号输出偏差及环境适应性。
8.继电器:侧重触点电阻、机械动作可靠性及线圈绝缘退化。
9.二极管:评估正向压降变化、反向漏电流及玻璃封装耐蚀性。
10.电感器:检测磁芯腐蚀、绕组电阻变化及Q值稳定性。
检测方法
国际标准:
- ISO9227:2012人造大气腐蚀试验方法
- IEC60068-2-60:2015环境试验方法
- ASTMG85-19改性盐雾试验方法
- JISH8502:2015金属镀层耐蚀性试验
- ISO16750-4:2010道路车辆环境试验
- GB/T2423.51-2020环境试验方法
- GB/T10125-2021人造气氛腐蚀试验
- GB/T6461-2002金属覆盖层腐蚀试验
- GB/T17626.2-2018电磁兼容试验方法
- GB/T31838.2-2019电子元器件环境试验
检测设备
1.硫化氢环境试验箱:H2S-5000型(浓度范围1-2000ppm,温度控制±1°C)
2.扫描电子显微镜:SEM-Probe200(分辨率5nm,放大倍数10-100,000x)
3.电化学工作站:EC-Lab-XP(电位范围±10V,精度±0.1mV)
4.万能材料试验机:UTM-100kN(载荷范围0.1-100kN,应变率0.001-500mm/min)
5.直读光谱仪:OES-Advantage(检测限0.001%,元素范围C-U)
6.离子色谱仪:IC-9000(分离柱温度30-80°C,检测限0.1ppb)
7.热分析仪:TGA-DSC-800(温度范围RT-1500°C,灵敏度0.1μg)
8.氦质谱检漏仪:Leak-Master(泄漏率检测限1×10⁻¹⁰Pa·m³/s)
9.高精度电阻测试仪:R-Meter-Pro(测量范围1mΩ-100GΩ,精度±0.05%)
10.表面粗糙度仪:SurfTest-300(Ra测量范围0.05-50μm,扫描长度10mm)
11.环境模拟控制器:Enviro-Sim(湿度控制±2%RH,气体混合精度±1%)
12.X射线荧光光谱仪:XRF-Elite(检测限0.01%,激发源Rh靶)
13.原子力显微镜:AFM-Nano(Z轴分辨率0.1nm,扫描面积100×100μm)
14.热像仪:IR-Cam(温度范围-20-1500°C,热灵敏度20mK)
15.振动测试台:Vibro-Shaker(频率范围5-5000Hz,加速度10g)
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。