检测项目
晶格常数测量：精度±0.001Å，范围1.0-10.0Å
表面粗糙度分析：Ra值检测范围0.1-100nm，分辨率0.05nm
晶体缺陷密度检测：分辨率≥10^3 defects/cm²
晶体取向偏差：角度偏差±0.05°，空间分辨率1μm
残余应力测试：测量范围±2000MPa，误差≤5%
检测范围
半导体材料：单晶硅、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）
光学晶体：氟化钙（CaF₂）、石英（SiO₂）、铌酸锂（LiNbO₃）
压电晶体：钽酸锂（LiTaO₃）、锆钛酸铅（PZT）
超硬晶体：金刚石、立方氮化硼（c-BN）
激光晶体：掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG）、蓝宝石（Al₂O₃）
检测方法
X射线衍射法（XRD）：ASTM E975，GB/T 23413-2009
原子力显微镜（AFM）：ISO 11039，GB/T 31227-2014
扫描电子显微镜（SEM）：ISO 16700，GB/T 17359-2012
激光共聚焦显微镜：ISO 25178，GB/T 34879-2017
电子背散射衍射（EBSD）：ASTM E2627，GB/T 38885-2020
检测设备
Bruker D8 Discover XRD仪：高分辨率晶体结构分析（0.0001°步进精度）
Veeco Dimension Icon原子力显微镜：最大扫描范围90μm，Z轴分辨率0.01nm
Hitachi SU5000场发射扫描电镜：加速电压0.1-30kV，分辨率1.0nm@15kV
Olympus LEXT OLS5000激光共聚焦显微镜：408nm激光，横向分辨率120nm
Malvern Panalytical Empyrean XRD分析仪：残余应力测量模块，符合GB/T 7704-2017
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
