检测项目
二氧化硅（SiO₂）含量测定：检测范围0.01%-99.9%，精度±0.5%
氧元素分布分析：分辨率达0.1μm，检测限0.001wt%
游离硅含量检测：采用酸溶法，检测范围10ppm-5%
硅氧键结合能测试：XPS检测，结合能范围100-1100eV
结晶形态表征：XRD半峰宽≤0.02°，角度范围5°-90°
检测范围
半导体材料：单晶硅片、多晶硅锭、氮化硅薄膜
光学玻璃：石英玻璃、硼硅酸盐玻璃、光纤预制棒
陶瓷材料：碳化硅陶瓷、氧化锆增韧陶瓷
硅橡胶制品：高温硫化硅橡胶、液体硅胶
石英制品：石英坩埚、石英管材、石英晶体谐振器
检测方法
GB/T 14506.3-2010：硅酸盐岩石化学分析法测定SiO₂含量
ASTM E1621-22：X射线荧光光谱法测定氧元素含量
ISO 21079-3:2008：耐火材料中SiO₂的ICP-OES检测
GB/T 30714-2014：红外光谱法测定硅氧键特征峰
JIS R 2216:2016：X射线衍射法分析晶体结构
检测设备
Thermo Scientific iCAP 7400 ICP-OES：多元素同步分析，检测限达ppb级
Bruker D8 ADVANCE XRD：配备LynxEye探测器，角度重现性±0.0001°
Shimadzu EDX-7000 XRF：铑靶X光管，检测元素范围Na-U
PerkinElmer Spectrum Two FTIR：波长范围7800-350cm⁻¹，分辨率0.5cm⁻¹
Agilent 8900 ICP-MS/MS：质量数范围2-260amu，消除质谱干扰
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
