检测项目
电荷存储容量：测量范围0.1pC-100mC，精度±0.5%
漏电流特性：测试电压50V-10kV，分辨率1fA
击穿电压强度：DC/AC模式可调，最大30kV
介质损耗因数：频率范围20Hz-1MHz，精度0.0001
表面电阻率：测量范围1×10³~1×10¹⁸Ω/sq
检测范围
半导体基电荷耦合器件(CCD)
有机高分子驻极体材料
多层陶瓷电容器(MLCC)
薄膜晶体管(TFT)阵列
压电传感器核心元件
检测方法
GB/T 26248-2010《电子元器件表面电位测试方法》
ASTM D149-09《固体电绝缘材料工频击穿电压试验方法》
IEC 62631-3-1:2016《介质材料介电性能测量规范》
JIS C2138-2007《绝缘材料体积电阻率试验方法》
GB/T 1410-2006《固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法》
检测设备
Keysight B2987A静电计：0.01fA~10mA电流测量能力
Trek Model 347高压放大器：±10kV输出，0.001%纹波系数
Agilent E4980A LCR表：20Hz-2MHz阻抗分析模块
HIOKI ST5520耐压测试仪：AC/DC双模式5kV耐压测试
Keithley 6517B高阻计：10¹⁷Ω输入阻抗测量系统
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
