检测项目
载流子浓度：测量范围1×10¹³~1×10²⁰ cm⁻³
迁移率：霍尔迁移率（0.1~10⁴ cm²/(V·s)）
缺陷密度：深能级缺陷（≥0.1 eV）
界面态密度：阈值电压漂移（±5%内）
热稳定性：工作温度范围-196℃~300℃
检测范围
氧化物离子半导体（如ZrO₂、TiO₂基材料）
硫系离子半导体（Ag₂S、Cu₂S薄膜）
固态电解质材料（LiPON、NASICON型结构）
有机-无机杂化钙钛矿材料
薄膜/块体半导体器件（厚度50 nm~5 mm）
检测方法
霍尔效应测试：ASTM F76 / GB/T 1550-2018
阻抗谱分析：IEC 62631-3-1 / GB/T 3389-2015
深能级瞬态谱法：ISO 18552:2016
X射线光电子能谱：ISO 19830:2015
热重-差示扫描量热联用：ASTM E1131 / GB/T 19466.1-2004
检测设备
霍尔效应测试系统：Lakeshore 8400系列（四探针法测量载流子参数）
阻抗分析仪：Keysight E4990A（频率范围20 Hz~120 MHz）
扫描电子显微镜：Thermo Fisher Apreo 2（分辨率0.8 nm@1 kV）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
