检测项目
击穿电压（VBR）：100-6500V范围测试
饱和电流（IDSS）：1mA-200A量程测量
热阻（RθJC）：0.1-10K/W精度±3%
开关时间（tr/tf）：ns级响应测试
漏电流（IL）：nA级精度测量
检测范围
IGBT模块（绝缘栅双极晶体管）
MOSFET功率器件（金属-氧化物半导体场效应管）
碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）基器件
射频功率晶体管（LDMOS/GaAs）
高压整流二极管（FRD/SiC SBD）
检测方法
ASTM F400-2018：半导体器件稳态热阻测试规范
IEC 60747-9:2019：分立器件动态参数测试方法
GB/T 4587-2020：半导体器件反向阻断特性测试规程
JESD22-A108F：高温反偏（HTRB）寿命试验标准
ISO 16750-2:2023：汽车电子环境应力试验要求
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A脉冲测试
Tektronix DMM6500数字万用表：6½位分辨率漏电流测量
Thermo Scientific T3Ster瞬态热阻测试系统：μs级热响应分析
Chroma 19032功率循环测试机：10000次循环老化验证
Agilent N6705C直流电源分析仪：多通道同步供电监测
补充技术指标
安全工作区（SOA）边界测绘：电压-电流二维曲线生成
栅极电荷（Qg）测试：10nC-10μC量程覆盖
结壳热阻（RthJC）：红外热成像辅助测量
雪崩能量（EAS）：单脉冲/重复脉冲模式切换
C-V特性曲线分析：1kHz-1MHz频率扫描测试
行业应用场景
新能源汽车电机控制器模块验证
光伏逆变器功率单元可靠性评估
轨道交通牵引变流器组件筛选
工业变频器IGBT模组寿命预测
5G基站射频功放器件性能验证
失效模式分析体系
电迁移（EM）失效：SEM显微结构观测
热载流子注入（HCI）退化：参数漂移追踪
闩锁效应（Latch-up）：触发电流阈值测定
金属层剥离：X射线分层扫描检测
键合线断裂：声学显微成像定位分析
质量控制流程节点
晶圆级参数初筛（CP测试）
数据记录规范要求
TJ=25℃/125℃双温标定数据
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
