检测项目
1.本征载流子浓度：测量范围110⁹-110⁹cm⁻，精度3%2.载流子迁移率：测试范围50-15000cm/(Vs)，温度条件77-400K3.少数载流子寿命：分辨率0.1ns-10ms，激光激发波长532/1064nm4.电阻率特性：量程10⁻-10⁶Ωcm，四探针法接触压力0.5-2.0N5.霍尔系数测定：磁场强度0.05-1.5T，电流源稳定性≤0.01%
检测范围
1.单晶/多晶半导体材料：硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等2.光伏材料：碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)薄膜3.热电材料：碲化铋(Bi₂Te₃)、硅锗合金(SiGe)4.有机半导体：并五苯、C60衍生物5.二维材料：石墨烯、过渡金属硫化物(TMDC)
检测方法
1.ASTMF76-08(2016)：霍尔效应测试标准方法2.ISO14707:2015：辉光放电质谱法测定杂质浓度3.GB/T1551-2009：硅单晶电阻率测定规范4.IEC60904-8:2014：光伏材料载流子寿命测试5.JISH0605-1995：四探针法电阻率测量规程
检测设备
1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：支持DC-IV/CV/脉冲测试模式2.Agilent4155C半导体分析仪：最小电流分辨率0.1fA3.LakeShore8400系列霍尔测量系统：集成低温恒温器(4.2-475K)4.SemilabWT-2000少子寿命测试仪：微波光电导衰减法(MWPCD)5.FourDimensionsMMR技术霍尔效应台：磁场均匀度0.25%6.JandelRM3000四探针台：自动压力控制系统7.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：导电AFM模式8.ThermoScientificDXR3显微拉曼光谱仪：空间分辨率＜1μm9.OxfordInstrumentsOptistatCF低温恒温器：温度稳定性0.01K10.KeysightB1500A器件分析仪：100MHz带宽波形发生器
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
