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正离子发射检测方法

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文章概述:正离子发射检测是一种常用的表面分析技术,通过测量样品表面正离子的发射信号来得到样品的组成和结构信息。
一般来说,正离子发射检测可以分为以下几个步骤:
1. 样品制备:将待检

正离子发射检测是一种常用的表面分析技术,通过测量样品表面正离子的发射信号来得到样品的组成和结构信息。

一般来说,正离子发射检测可以分为以下几个步骤:

1. 样品制备:将待检样品制备为适合于正离子发射检测的形态,例如通过切割、研磨或抛光等方法制备样品表面。

2. 电离:使用惰性气体(如氩气)的离子源对样品表面进行轰击,将样品表面的原子或分子电离形成正离子。

3. 加速:将正离子引入加速电场,加速正离子并使其具有足够的能量穿透到足够深度的样品表面。

4. 分析:正离子进入分析区域,其中一部分正离子会与样品表面的原子或分子发生碰撞,发生反弹或损失能量,进一步发射出信号。

5. 探测:使用相应的探测器来检测并记录反弹或发射出的正离子信号。

6. 分析数据:通过分析记录的正离子信号,可以得到样品的组成分析、表面形貌、化学状态等信息。

正离子发射检测方法
中析研究所

北京中科光析科学技术研究所(简称中析研究所),隶属于北京前沿科学技术研究院,为集体所有制单位,是以科研检测为主的科学技术研究机构。中析研究所坚持基础研究与应用研究并重、应用研究和技术转化相结合,发展为以“任务带学科”为主要特色的综合性研究所。经国家有关部门批准,成为第三方分析测试技术服务单位,旗下实验室机构获得CMA资质认证。开展了研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等服务,为科技型企业创新提供公共服务。本所得到政府创新基金的支持,被评为国家高新技术企业。

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