检测项目

1.阈值特性：阈值电压，开启电压，伏安特性等。

2.泄漏特性：栅极漏电流，关断漏电，反向漏电等。

3.电容特性：栅极电容，输入电容，米勒电容等。

4.击穿特性：击穿电压，雪崩耐量，过压容限等。

5.导通特性：导通电阻，导通压降，电流容量等。

6.开关特性：开通时间，关断时间，开关损耗等。

7.温度特性：温度系数，热稳定，结温范围等。

8.驱动特性：栅极电荷，驱动功耗，驱动电压等。

9.可靠性：栅氧寿命，TDDB，ESD耐受等。

检测范围

原材料样品、半成品样品、成品样品、部件样品、组件样品、元件样品、加工样品、试制样品、量产样品、召回样品、环境模拟样品、失效复现样品、对比基准样品、批量随机样品、客户送检样品

检测仪器

1.晶体管特性图示仪：用于伏安特性与阈值电压测量；电压0-2000V电流0-100A。

2.LCR测试仪：用于栅极电容与米勒电容测量；频率20Hz-2MHz精度0.05%。

3.半导体参数分析仪：用于栅极漏电流与泄漏特性测试；电流分辨率10fA。

4.高压源表：用于击穿电压与雪崩耐量测试；电压0-3000V电流分辨率1pA。

5.数字示波器：用于开关时间与开关损耗测量；带宽1GHz采样5GS/s。

6.高温老化箱：用于温度特性与栅氧寿命测试；温度室温-300℃。

7.栅极电荷测试系统：用于栅极电荷与驱动功耗测试；采样率100MS/s。

8.静电放电发生器：用于ESD耐受与可靠性测试；HBM模型0-8kV。

9.热像仪：用于结温范围与热稳定监测；测温范围-20-650℃分辨率0.1℃。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室拥有CMA/CNAS/ISO资质。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。