正性光刻胶检测通常包括对其化学、物理和光学性能的测试，以确保它们在半导体制造、微电子加工和PCB制造等领域的应用中满足特定的工艺要求。

溶解度测试：评估光刻胶在不同溶剂中的溶解速率和程度。

粘度测量：通过旋转粘度计等仪器测量光刻胶的流动性。

附着力测试：测定光刻胶在硅片或其他衬底上的粘附强度。

灵敏度测试：测量光刻胶对曝光光源的敏感程度。

分辨率测试：评估光刻胶在微图形复制中的最小线宽和线距。

对比度测试：测定光刻胶在曝光和显影过程中的对比度性能。

曝光宽容度测试：评估光刻胶在不同曝光剂量下的性能变化。

显影宽容度测试：测定光刻胶在不同显影条件下的性能稳定性。

抗蚀刻性能测试：评估光刻胶在蚀刻过程中的保护能力。

热稳定性测试：测量光刻胶在高温下的稳定性和热变形温度。

玻璃化转变温度（Tg）测试：确定光刻胶从玻璃态到橡胶态的转变温度。

分子量分布测试：通过凝胶渗透色谱法（GPC）等方法测定光刻胶的分子量分布。

金属离子含量测试：评估光刻胶中金属离子的浓度，这些离子可能会影响半导体器件的性能。

残余单体测试：测定光刻胶中未反应单体的含量。

抗污染性能测试：评估光刻胶对微粒、尘埃等污染的抵抗能力。

抗紫外线（UV）性能测试：测定光刻胶在紫外线照射下的稳定性。

抗化学抗性测试：检验光刻胶对各种化学物质的抵抗能力。

抗湿性能测试：评估光刻胶在潮湿环境下的性能变化。

抗静电性能测试：测定光刻胶的表面电阻率和体积电阻率，评估其抗静电性能。

光学透明度测试：通过光学仪器测量光刻胶的光透过率。

折射率测试：测量光刻胶的光学折射率。

应力-应变测试：评估光刻胶在应力作用下的形变和断裂特性。

膨胀系数测试：测定光刻胶在温度变化下的体积膨胀或收缩率。

涂层均匀性测试：评估光刻胶涂层的厚度和均匀性。

显影后残留物测试：测定显影后光刻胶表面的残留物情况。

存储稳定性测试：评估光刻胶在存储过程中的化学和物理稳定性。

环境应力开裂（ESC）测试：评估光刻胶在特定环境下的抗开裂性能。

离子注入测试：测定光刻胶在离子注入工艺中的保护性能。

光致抗蚀剂（PAG）含量测试：测定光刻胶中光致抗蚀剂的含量，这会影响光刻胶的曝光性能。