因您的需求、实验方案、检测样品、测试过程不同，相应的参考标准请咨询在线工程师！
文章概述：1. X射线衍射仪：用于检测锗半导体的晶体结构和定量分析。
2. 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)：用于分析锗半导体的化学成分、晶体结构和杂质含量。
3. 电子显微镜(TEM)：用于观察和
1. X射线衍射仪：用于检测锗半导体的晶体结构和定量分析。
2. 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)：用于分析锗半导体的化学成分、晶体结构和杂质含量。
3. 电子显微镜(TEM)：用于观察和分析锗半导体的微观形貌和晶体结构。
4. 拉曼光谱仪：用于分析锗半导体的晶格振动、应变、晶体质量以及晶体缺陷。
5. 电子束曝光仪(EBL)：用于制备锗半导体的纳米器件和结构，同时也可以用于观察和分析器件的微观结构。
6. 原子力显微镜(AFM)：用于观察和测量锗半导体的表面形貌和薄膜的厚度。
7. 弹性模量测试仪：用于测量锗半导体材料的弹性模量，以评估其力学性能。
8. 电学测试仪：用于测量锗半导体的电导率、电阻率和电容率等电学性质。
