位错缺陷检测是对材料中位错的存在、数量、类型和分布进行评估的过程。

位错观察：使用显微镜或电子显微镜直接观察材料中的位错。

X 射线衍射：分析晶体结构，检测位错引起的晶格畸变。

电子背散射衍射（EBSD）：确定晶体取向和位错密度。

化学腐蚀法：通过腐蚀显示位错的痕迹。

硬度测试：位错会影响材料的硬度。

拉伸试验：观察位错对材料力学性能的影响。

扫描探针显微镜（SPM）：高分辨率成像位错。

原子力显微镜（AFM）：检测位错引起的表面形貌变化。

磁力显微镜（MFM）：测量位错产生的磁场。

热稳定性测试：位错可能影响材料的热稳定性。

光学显微镜观察：简单的位错初步观察方法。

电子探针微分析（EPMA）：分析位错周围的化学成分。

中子衍射：提供关于位错的结构信息。

磁畴观察：与位错相关的磁畴变化。

电场力显微镜（EFM）：检测位错引起的电场变化。

电容测量：位错对电容的影响。

电阻率测量：位错会改变材料的电阻率。

热膨胀系数测量：位错对热膨胀的影响。

声学显微镜：检测位错引起的声波传播变化。

激光散射：分析位错对光散射的影响。

穆斯堡尔谱学：提供关于位错的化学信息。

荧光显微镜：某些材料中位错的荧光特性。

二次离子质谱（SIMS）：分析位错周围的元素分布。

电子能量损失谱（EELS）：提供关于位错的电子结构信息。

同步辐射 X 射线衍射：高分辨率的位错检测方法。

热释电效应测量：位错与热释电性能的关系。

光致发光（PL）测量：位错对光致发光的影响。

拉曼光谱：分析位错引起的晶格振动变化。

低温电子显微镜（cryo-EM）：在低温下观察位错。

电子断层扫描（ET）：三维重建位错结构。