突变结检测通常涉及对半导体器件中突变结的特性和性能进行评估。

电容-电压（C-V）特性测试：测量突变结的电容随电压的变化，以确定结的性质和参数。

电流-电压（I-V）特性测试：分析突变结在不同电压下的电流行为，评估其电学性能。

击穿电压测试：确定突变结能够承受的最大电压，以评估其耐压能力。

漏电流测试：检测突变结在反向偏置下的漏电流，评估其绝缘性能。

结电容测试：测量突变结的电容值，用于分析其电容特性。

反向恢复时间测试：评估突变结在开关过程中的反向恢复特性。

正向压降测试：测量突变结在正向偏置下的电压降。

热稳定性测试：考察突变结在不同温度条件下的性能稳定性。

辐射耐受性测试：检测突变结在辐射环境下的可靠性。

高频特性测试：分析突变结在高频信号下的性能。

噪声特性测试：评估突变结产生的噪声水平。

温度系数测试：确定突变结的电学参数随温度的变化规律。

老化测试：监测突变结在长期使用过程中的性能变化。

可靠性测试：评估突变结在各种工作条件下的可靠性。

光学特性测试：如发光二极管（LED）中的突变结，可进行光输出和光谱特性测试。

量子效率测试：测量突变结的量子效率，用于评估其光电器件性能。

电荷存储测试：研究突变结中的电荷存储现象。

界面态密度测试：评估突变结界面处的态密度。

陷阱密度测试：检测突变结中陷阱的密度。

载流子迁移率测试：确定突变结中载流子的迁移率。

少数载流子寿命测试：测量突变结中少数载流子的寿命。

扩散长度测试：评估突变结中载流子的扩散长度。

掺杂浓度测试：确定突变结中的掺杂浓度分布。

晶体质量测试：检查突变结所在半导体材料的晶体质量。

结构分析：如 X 射线衍射（XRD）等，用于分析突变结的结构特征。

表面形貌测试：通过扫描电子显微镜（SEM）等观察突变结的表面形貌。

成分分析：确定突变结中各元素的成分和含量。