检测项目

晶体取向偏差检测：测量晶面与理想晶向的偏离角度（范围：±0.5°~±5°）

位错密度分析：通过蚀刻法或TEM观测计算位错密度（检测范围：10^3~10^7/cm²）

残余应力分布：利用X射线衍射法测定应力梯度（精度：±10 MPa）

晶格畸变量化：分析晶格常数变化（分辨率：0.0001 nm）

滑移带间距测量：统计变形后滑移带平均间距（范围：0.1~10 μm）

检测范围

半导体单晶材料：硅（Si）、锗（Ge）晶圆

金属单晶材料：镍基高温合金、钛合金定向凝固叶片

光学晶体：蓝宝石（Al₂O₃）、氟化钙（CaF₂）窗口片

压电晶体：石英（SiO₂）、铌酸锂（LiNbO₃）谐振器

超硬单晶材料：金刚石（C）、立方氮化硼（cBN）刀具

检测方法

ASTM E112-13：标准晶粒度测定方法（含电子背散射衍射分析）

ISO 24173:2009：电子背散射衍射（EBSD）取向分析国际标准

GB/T 13305-2008：不锈钢中α-相面积含量测定（X射线衍射法）

GB/T 33814-2017：金属材料电子背散射衍射分析方法

JIS H 7805:2005：X射线应力测定方法（半峰宽法）

检测设备

X射线衍射仪：Bruker D8 Discover，配备Hi-Star二维探测器，支持残余应力全谱拟合分析

电子背散射衍射系统：Oxford Instruments Symmetry，分辨率0.1μm，取向精度0.1°

高分辨透射电镜：JEOL JEM-ARM300F，球差校正型，位错观察极限0.1nm

激光共聚焦显微镜：Keyence VK-X3000，三维形貌重构，Z轴分辨率1nm

纳米压痕仪：Agilent G200，最大载荷500mN，位移分辨率0.01nm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。