检测项目
导电类型判定：
- 霍尔效应测试：载流子极性（p型/n型）、迁移率（cm²/V·s）
- 热探针法：塞贝克系数极性（μV/K）
- 霍尔系数分析：体浓度（cm⁻³）、薄层浓度（cm⁻²）
- 电容-电压法（C-V）：空间电荷区浓度分布（精度±3%）
- DLTS谱分析：能级位置（Ec-Et或Et-Ev）、俘获截面（σₜ≥10⁻²⁰cm²）
- 热激电流谱（TSC）：陷阱密度（cm⁻³）、激活能（eV）
- 低温光致发光（PL）：施主/受主结合能（meV）、谱峰半高宽（参照ASTMF42）
- 傅里叶变换红外光谱（FTIR）：杂质振动模波数（cm⁻¹）
- 准静态C-V：界面态密度（Dit/cm⁻²·eV⁻¹）
- 电导法：能级分布（0.3-0.8Eg）
- 瞬态光电导：载流子寿命（μs-ms级）
- 等温衰减谱：热发射率（eₜ/s⁻¹）
- 光吸收谱：缺陷吸收边（nm）
- 拉曼光谱：晶格畸变频移（cm⁻¹）
- 热导率测试：声子散射系数（W/m·K）
- 比热容测量：晶格振动熵变（J/mol·K）
- Poole-Frenkel效应：场增强发射系数（V/cm）¹/²
- 隧穿电流分析：缺陷辅助隧穿概率（参照IEC60749-32）
- 质子辐照试验：位移损伤等效剂量（MeV/g）
- 退火特性：缺陷恢复温度（℃）
检测范围
1.单晶硅材料：太阳能级直拉硅(CZ-Si)及区熔硅(FZ-Si)，重点检测氧沉淀相关热施主及重金属污染能级
2.化合物半导体：GaAs、InP等III-V族材料，侧重EL2深能级及碳/锌受主浓度检测
3.宽禁带半导体：SiC（4H/6H型）、GaN基材料，重点排查Z₁/₂深能级及黄色发光带缺陷
4.碲镉汞红外材料：Hg₁₋ₓCdₓTe晶体，检测汞空位受主能级及组分涨落诱导带尾态
5.量子阱结构：AlGaAs/GaAs多量子阱，分析界面粗糙度导致的局域态密度
6.氧化物半导体：ZnO、IGZO薄膜，检测氧空位浅施主（~30meV）及氢掺杂效应
7.光伏材料：CIGS、CdTe薄膜电池，聚焦铜空位复合中心及晶界态密度
8.功率器件芯片：IGBT/SiCMOSFET外延层，评估碳空位相关Z₁/₂能级对漏电流影响
9.闪烁晶体：BGO、LYSO等，检测阳离子空位对发光效率的淬灭作用
10.有机半导体：并五苯/P3HT薄膜，分析氧掺杂诱导的极化子能级
检测方法
国际标准：
- IEC60749-32:2021半导体器件机械和气候试验方法-中子辐照试验
- ASTMF42-20半导体载流子浓度测试规程
- SEMIMF1723-1109深能级瞬态谱(DLTS)分析方法
- GB/T1551-2021硅单晶电阻率测定方法
- GB/T14144-2021硅晶体中间隙氧含量红外吸收测量方法
- GB/T4298-2018半导体材料热导率测试方法
检测设备
1.深能级瞬态谱仪：DLS-83D型（温度范围15K-500K，时间常数分辨率10μs）
2.低温霍尔测试系统：HL5500PC型（磁场强度0.55T，温控精度±0.1K）
3.傅里叶红外光谱仪：NicoletiS50（分辨率0.09cm⁻¹，检测限50ppba）
4.光致发光谱仪：LabRAMHREvolution（激光波长325nm，光谱分辨率0.35cm⁻¹）
5.电容-电压测试仪：MDCCSM/12（频率范围1kHz-10MHz，电容分辨率0.1fF）
6.瞬态光电导系统：PCT-1LS（脉冲宽度5ns，寿命检测范围1ns-10ms）
7.超低温恒温器：JanisST-500（最低温度1.5K，温度稳定性±0.05K）
8.半导体参数分析仪：KeysightB1500A（电流分辨率10aA，电压范围±100V）
9.扫描隧道显微镜：OmicronLT-STM（原子级空间分辨率，偏压范围±10V）
10.微区拉曼系统：RenishawinVia（激光光斑尺寸0.5μm，光谱范围200-1800cm⁻¹）
11.液氦恒温器：OxfordInstrumentsOptistatCF（变温范围4.2K-300K，控温精度0.01K）
12.热电特性测试台：MMRK20（塞贝克系数精度±3%，热导率误差≤5%）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
